EM12-PV用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測(cè)量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。
EM12-PV融合多項(xiàng)量拓科技技術(shù)，采用一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡(jiǎn)單安全。
特點(diǎn)：
粗糙絨面納米薄膜的測(cè)量
光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測(cè)器件以及高信噪比的微弱信號(hào)處理方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)粗糙表面散射為主和反射率為特征的絨面太陽(yáng)電池表面納米鍍層的檢測(cè)。
次納米量的高靈敏度和準(zhǔn)確度
采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了高準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，測(cè)量絨面減反膜的厚度精度優(yōu)于0.2nm。
1.6秒的快速測(cè)量
水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量，可滿足快速多點(diǎn)檢測(cè)和批量檢測(cè)需求。
簡(jiǎn)單方便安全的儀器操作
一鍵式操作設(shè)計(jì)，用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高操作需求。
應(yīng)用：
EM12-PV適合于光伏領(lǐng)域中端精度要求的工藝研發(fā)和現(xiàn)場(chǎng)的質(zhì)量控制。
EM12-PV可用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n，典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等，應(yīng)用領(lǐng)域包括晶體硅太陽(yáng)電池、薄膜太陽(yáng)電池等。
EM12-PV也可用于測(cè)量光滑平面基底上的單層或雙層納米薄膜，包括膜層的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。也可用于測(cè)量塊狀材料（包括，液體、金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等）在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
技術(shù)指標(biāo)：
| 項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
| 儀器型號(hào) | EM12-PV |
| 激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測(cè)量重復(fù)性（1） | 0.2nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 0.2nm (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 折射率精度（1） | 2x10-3 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 2x10-3 (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 單次測(cè)量時(shí)間 | 與測(cè)量設(shè)置相關(guān)，典型1.6s |
| 光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有的準(zhǔn)確度） |
| 激光光束直徑 | 1-2mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié)，步進(jìn)5° |
| 樣品方位調(diào)整 | 一體化樣品臺(tái)輕松變換可測(cè)量單晶或多晶樣品 |
| 可測(cè)量156*156mm電池樣品上每個(gè)點(diǎn) | |
| Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm | |
| 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
| 樣品對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) | |
| 樣品臺(tái)尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
| 兼容125*125mm和156*156mm的太陽(yáng)能電池樣品 | |
| 大的膜層厚度范圍 | 粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān) |
| 光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4um，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) | |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時(shí)) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺(tái) |
| 真空吸附泵 | |
| 軟件 | ETEM軟件： |
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性能保證：
穩(wěn)定的He-Ne激光光源采樣方法以及低噪聲探測(cè)技術(shù)，保證了穩(wěn)定性和準(zhǔn)確度
一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容單晶和多晶硅太陽(yáng)電池樣品,輕松變換可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確測(cè)量
高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對(duì)準(zhǔn)
新型樣品調(diào)節(jié)技術(shù)，有效提高樣品定位精度，并節(jié)省操作時(shí)間
新型光電增強(qiáng)技術(shù)和噪聲處理方法，顯著降低現(xiàn)場(chǎng)噪聲的影響
一體化集成式儀器整體設(shè)計(jì)，保證了系統(tǒng)穩(wěn)定性，并節(jié)省空間
分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和相對(duì)厚度的測(cè)量
一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫(kù)和材料數(shù)據(jù)庫(kù)，方便用戶使用
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
VP01真空吸附泵
VP02 真空吸附泵
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