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臺積電1nm取得重要進展：硅芯片的物理極限有辦法了

2021-05-18 15:55:22來源：快科技 閱讀量：115 評論

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導(dǎo)讀：前不久，IBM公布了2nm技術(shù)路線，讓人倍感振奮。雖然摩爾定律速度放緩，但硅晶片微縮的前景依然廣闊。

　　前不久，IBM公布了2nm技術(shù)路線，讓人倍感振奮。雖然摩爾定律速度放緩，但硅晶片微縮的前景依然廣闊。
 
　　不過，2nm之后就是1.5nm、1nm，硅片觸及物理極限。
 
　　日前，臺大、臺積電和麻省理工共同發(fā)布研究成果，首度提出利用半金屬Bi作為二維材料的接觸電極。它可以大幅降降低電阻并提高電流，使其效能媲美硅材料，有助于半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)對未來1納米世代的挑戰(zhàn)。
 
　　論文中寫道，目前硅基半導(dǎo)體已經(jīng)推進到5nm和3nm，單位面積容納的晶體管數(shù)量逼近硅材料物理極限，效能無法逐年顯著提升。此前，二維材料被業(yè)內(nèi)寄予厚望，卻始終掣肘于高電阻、低電流等問題。
 
　　此次三方合作中，麻省理工是半金屬鉍電極發(fā)現(xiàn)者，臺積電將鉍(Bi)沉積制程進行優(yōu)化，臺大團隊運用氦離子束微影系統(tǒng)(Helium-ion beam lithography)將元件通道成功縮小至納米尺寸，終于大功告成，耗時長達一年半的時間。
 
　　4月下旬的時候臺積電更新了其制程工藝路線圖，稱其4納米工藝芯片將在2021年底進入“風(fēng)險生產(chǎn)”階段，并于2022年實現(xiàn)量產(chǎn)；3納米產(chǎn)品預(yù)計在2022年下半年投產(chǎn)，2納米工藝正在開發(fā)中。
 
　　原標題：臺積電1nm取得重要進展：硅芯片的物理極限有辦法了
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