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“芯片之爭”再打響？臺(tái)積電砸千億擴(kuò)大2nm產(chǎn)能

2022-06-09 10:00:10來源：智能制造網(wǎng)整理 閱讀量：119 評(píng)論

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導(dǎo)讀：據(jù)說，臺(tái)積電在2nm制程上帶來了不少新科技，諸如Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)、高遷移率組件(High mobility channel)和全新的2D材料、CNT等。針對(duì)2D材料，臺(tái)積電宣稱已挖掘到石墨烯之外的新材料，可以逐漸用在晶體管上。

　　據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將砸1萬億新臺(tái)幣(約2290億元人民幣)在臺(tái)中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，已向當(dāng)?shù)乇O(jiān)管部門提出設(shè)廠用地需求，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。事實(shí)上，對(duì)于國產(chǎn)品牌來說，其要不斷加碼更先進(jìn)的工藝，從而甩掉三星等一眾對(duì)手的追趕。
 
　　早在今年4月份，臺(tái)積電總裁魏哲家在會(huì)上曾表示，臺(tái)積電2nm預(yù)期會(huì)是最成熟與最適合技術(shù)來支持客戶成長，而這個(gè)制程的芯片預(yù)計(jì)在2024年試產(chǎn)，最快2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。其實(shí)，對(duì)于臺(tái)積電而言，其要不斷加碼更先進(jìn)的工藝，才能更好地?fù)屌苡谌堑纫槐妼?duì)手。
 
　　據(jù)說，臺(tái)積電在2nm制程上帶來了不少新科技，諸如Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)、高遷移率組件(High mobility channel)和全新的2D材料、CNT等。針對(duì)2D材料，臺(tái)積電宣稱已挖掘到石墨烯之外的新材料，可以逐漸用在晶體管上。
 
　　業(yè)內(nèi)人士稱，同三星激進(jìn)地在3nm節(jié)點(diǎn)使用GAA晶體管不同，臺(tái)積電在2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)使用GAA晶體管。不過，新技術(shù)也帶來了挑戰(zhàn)，導(dǎo)致2nm工藝量產(chǎn)時(shí)間要等幾年。回看當(dāng)下，臺(tái)積電在今年依托良好的良品率和優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量收到了不少廠家的橄欖枝，就連與三星深度合作2年之久的高通也開始轉(zhuǎn)入臺(tái)積電的懷抱。
 
　　目前看來，在4、5nm這一代的制程上，臺(tái)積電獲得了壓倒性的勝利。誠然，對(duì)于3nm芯片，按照計(jì)劃三星已宣布將搶先臺(tái)積電一步在2022年上半年量產(chǎn)3nm制程。早些時(shí)候，三星宣布將建成用于量產(chǎn)3nm芯片的全新圓晶廠，預(yù)計(jì)本月開始流片，年底將產(chǎn)出首款商用級(jí)別的3nm芯片。
 
　　而臺(tái)積電之前透露的3nm量產(chǎn)時(shí)間是2022年下半年。不過，有行業(yè)分析師爆料，臺(tái)積電3nm和4nm改良版直到2023年才能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，將導(dǎo)致今年的新款iPhone只能使用5nm改良版和4nm制程。
 
　　再回看2nm芯片，此前報(bào)道稱，臺(tái)積電已經(jīng)拿下了竹科2nm廠的用地，已有超過90%地主同意加購征收，預(yù)計(jì)最晚6月取得所有用地。而三星芯片代工業(yè)務(wù)的高管也曾在去年10月透露，該公司有望在2025年下半年使用其2nm制造工藝量產(chǎn)芯片。
 
　　即便行業(yè)人士對(duì)于2nm的市場(chǎng)前景十分看好，但實(shí)際上，現(xiàn)在談?wù)?nm制程可能尚且過早，畢竟臺(tái)積電和三星的3nm都還未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。雖說晶圓代工企業(yè)當(dāng)下3nm還未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，不過這也都充分凸顯出兩大晶圓代工巨頭你追我趕的競(jìng)爭態(tài)勢(shì)。芯片之戰(zhàn)到底誰輸誰贏，讓我們一起拭目以待吧！
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