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華為公布倒裝芯片封裝最新專(zhuān)利:改善散熱CPU、GPU等都能用

2023-08-17 08:41:08來(lái)源:快科技 閱讀量:89 評(píng)論

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導(dǎo)讀:該專(zhuān)利實(shí)施例提供了一種倒裝芯片封裝、一種裝備有應(yīng)用封裝結(jié)構(gòu)的電路的裝置以及一種組裝封裝的方法,更直觀(guān)來(lái)說(shuō),就是一種提供芯片與散熱器之間的接觸方式,能幫助改善散熱性能。

  8月16日消息,從國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局獲悉,華為技術(shù)有限公司日前公開(kāi)了一項(xiàng)名為“具有改進(jìn)的熱性能的倒裝芯片封裝”專(zhuān)利,申請(qǐng)公布號(hào)為CN116601748A。
 
  據(jù)了解,該專(zhuān)利實(shí)施例提供了一種倒裝芯片封裝、一種裝備有應(yīng)用封裝結(jié)構(gòu)的電路的裝置以及一種組裝封裝的方法,更直觀(guān)來(lái)說(shuō),就是一種提供芯片與散熱器之間的接觸方式,能幫助改善散熱性能。
 
  該專(zhuān)利可應(yīng)用于CPU、GPU、FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)、ASIC(專(zhuān)用集成電路)等芯片類(lèi)型,設(shè)備可以是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴移動(dòng)設(shè)備、PC、工作站、服務(wù)器等。
 
  專(zhuān)利提到,近來(lái),半導(dǎo)體封裝在處理性能方面的進(jìn)步對(duì)熱性能提出了更高的要求,以確保穩(wěn)定操作。
 
  就此而言,倒裝芯片封裝在熱性能方面具有優(yōu)勢(shì),因其結(jié)構(gòu)特征是芯片通過(guò)其下方凸塊與基板連接,能夠?qū)⑸崞鞫ㄎ辉谛酒捻敱砻嫔稀?br /> 
  為提高冷卻性能,會(huì)將熱潤(rùn)滑脂等熱界面材料(TIM)涂抹到芯片的頂表面,并夾在芯片和散熱器的至少一部分之間。從降低TIM中的熱阻以改善封裝的熱性能的角度來(lái)看,優(yōu)選使TIM的厚度更小。
 
  據(jù)了解,相較此前難以精細(xì)控制TIM厚度的散熱方案,華為這項(xiàng)專(zhuān)利中的熱界面材料的厚度由模制構(gòu)件中的壁狀結(jié)構(gòu)的高度限定。
 
  由于能在模制過(guò)程中輕松控制由模具化合物組成的壁狀結(jié)構(gòu)的高度,因此可以將熱界面材料的厚度調(diào)節(jié)到所需的小厚度,從而實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的熱性能。
 
  華為“具有改進(jìn)的熱性能的倒裝芯片封裝專(zhuān)利”摘要如下:
 
  提供了一種倒裝芯片封裝(200),其中,所述倒裝芯片封裝包括:至少一個(gè)芯片(202),用于與基板(201)連接;形成在所述基板(201)上的模制構(gòu)件(209),以包裹所述至少一個(gè)芯片(202)的側(cè)部分并使每個(gè)芯片(202)的頂表面裸露,其中,所述模制構(gòu)件(209)的上表面具有與每個(gè)芯片(202)的頂表面連續(xù)的第一區(qū)域、涂抹粘合劑(210)的第二區(qū)域以及放置成包圍每個(gè)芯片(202)的頂表面的壁狀結(jié)構(gòu)(209a),并且第一區(qū)域和第二區(qū)域由壁狀結(jié)構(gòu)(209a)分隔;散熱器(206),放置在每個(gè)芯片(202)的頂表面上方,并通過(guò)填充在第二區(qū)域中的粘合劑(210)粘合到模制構(gòu)件(209);熱界面材料(205),所述熱界面材料(205)填充在由所述第一區(qū)域、所述每個(gè)芯片(202)的頂表面、所述散熱器(206)的底表面的至少一部分和所述壁狀結(jié)構(gòu)(209a)的第一側(cè)形成的空間區(qū)域中。
 
根據(jù)華為發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片封裝示意性橫截面視圖
 
傳統(tǒng)倒裝芯片封裝示例
 
  原標(biāo)題:華為公布倒裝芯片封裝最新專(zhuān)利:改善散熱CPU、GPU等都能用 
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