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國產(chǎn)半導體設(shè)備公司中微：5nm以下芯片工藝開發(fā)中

2022-04-24 09:15:51來源：快科技 閱讀量：103 評論

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導讀：公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層和128層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

　　在今天的年度業(yè)績說明會上，國產(chǎn)半導體設(shè)備公司中微董事長尹志堯提到該公司正在開發(fā)新一代的刻蝕設(shè)備，可用于5nm以下的邏輯工藝、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品。
 
　　中微公司透露，公司積極關(guān)注下游市場擴產(chǎn)計劃并努力爭取各種可能的市場機會，公司的刻蝕設(shè)備在國內(nèi)主要客戶端市場占有率不斷提升。
 
　　在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的12英寸高端刻蝕設(shè)備已運用在國際知名客戶65nm到5nm等先進的芯片生產(chǎn)線上；同時，公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求，已開發(fā)出小于5nm刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)客戶的批量訂單。
 
　　公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5nm以下更多刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。
 
　　在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層和128層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。
 
　　此外，公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，正在進行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足5nm以下的邏輯芯片、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。
 
　　2021年，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入31.08億元，同比增長36.72%；歸屬于母公司所有者的凈利潤10.11億元，同比增長105.49%。
 
　　原標題：國產(chǎn)半導體設(shè)備公司中微：5nm以下芯片工藝開發(fā)中
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