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利普思半導(dǎo)體獲近億元A輪融資，德聯(lián)資本領(lǐng)投

2021-12-03 09:23:21來源：投資界 閱讀量：100 評論

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導(dǎo)讀：12月1日消息，高性能SiC(碳化硅)模塊企業(yè)“利普思半導(dǎo)體”宣布完成近億元人民幣A輪融資。本輪融資由德聯(lián)資本領(lǐng)投，沃衍資本、飛圖創(chuàng)投跟投。

　　12月1日消息，高性能SiC(碳化硅)模塊企業(yè)“利普思半導(dǎo)體”宣布完成近億元人民幣A輪融資。本輪融資由德聯(lián)資本領(lǐng)投，沃衍資本、飛圖創(chuàng)投跟投。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發(fā)設(shè)備投入，以及研發(fā)投入、管理運(yùn)營和市場推廣。
 
　　利普思成立于2019年，專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，擁有創(chuàng)新的封裝材料和封裝技術(shù)，為新能源汽車、氫能車、光伏等行業(yè)應(yīng)用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前，公司已經(jīng)申請專利26項(xiàng)，其中發(fā)明專利13項(xiàng)。
 
　　功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)控制、光伏和風(fēng)電等領(lǐng)域，市場空間巨大。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS數(shù)據(jù)，今年我國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望達(dá)159億美元(約1015億人民幣)，到2024年，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將超過500億美元(約3193億人民幣)。
 
　　盡管我國功率半導(dǎo)體市場占據(jù)了全球超1/3的規(guī)模，但面向高端領(lǐng)域的功率器件國產(chǎn)率極低，高端國產(chǎn)功率模塊的可靠性不足也導(dǎo)致市占率較低，90%以上的中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依賴進(jìn)口。
 
　　其難點(diǎn)在于，一是高端功率器件主要應(yīng)用在新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)β誓＝M的電氣設(shè)計(jì)、散熱、機(jī)械，可靠性，工藝等方面都有著高要求，國外如英飛凌、三菱等國際大廠早已積累了成熟技術(shù)和競爭優(yōu)勢，但國內(nèi)的IGBT與SiC模組設(shè)計(jì)與制造工藝相對落后，處于仍追趕階段。
 
　　二是芯片設(shè)計(jì)方面，小功率芯片通常采用單管電流設(shè)計(jì)，而大功率芯片需要集成到模組中，通過更多芯片并聯(lián)達(dá)到大功率電流的效果，尤其是汽車應(yīng)用中，國內(nèi)相關(guān)模組企業(yè)同樣與國際水平存在差距。
 
　　目前，利普思的核心產(chǎn)品覆蓋SiC和IGBT兩個(gè)品類，其中應(yīng)用于氫能商用車和光伏的SiC，以及應(yīng)用在充電樁、工業(yè)變頻器、商用車等方面的IGBT已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。值得注意的是，盡管SiC作為第三代功率半導(dǎo)體，在性能效率、可靠性和小型輕量化方面具備優(yōu)勢，但SiC對IGBT的替代主要集中在高端應(yīng)用市場，在低端市場則是兩者共存的格局。
 
　　利普思聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明說，公司的第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊技術(shù)水平已能和國際知名品牌產(chǎn)品展開直接競爭，尤其是其采用的全銀燒結(jié)，使用利普思專利的芯片表面連接技術(shù)的直接水冷結(jié)構(gòu)，電氣特性，散熱，功率密度均具有領(lǐng)先優(yōu)勢。
 
　　例如，特斯拉的SiC模塊采用了單管方案，每個(gè)單管集成2塊芯片，共并聯(lián)24個(gè)小單管。該方案對單管的封裝、焊接、連接一致性要求很高，系統(tǒng)應(yīng)用的工藝難度系數(shù)大，因此目前國內(nèi)廠家更青睞于集成度更高的高性能SiC模組方案。
 
　　相比之下，利普思采用的模組方案，采用了自研的芯片表面連接Arc Bonding專利技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)100A電流的芯片連接、6-10個(gè)并聯(lián)，大大提高了模組的電流能力、功率密度和可靠性，可以實(shí)現(xiàn)更小的電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)體積，更高的功率密度有利于中國電動(dòng)汽車廠家快速進(jìn)行電驅(qū)的研發(fā)與生產(chǎn)。
 
　　利普思一系列技術(shù)優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)的背后，與公司團(tuán)隊(duì)的正向開發(fā)能力息息相關(guān)。目前，公司在日本設(shè)有研發(fā)中心，該研發(fā)中心已初具規(guī)模，將形成完整的先進(jìn)模塊封裝和驗(yàn)證測試能力。公司還擁有數(shù)十位涵蓋芯片設(shè)計(jì)、封裝材料、封裝設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝、模塊應(yīng)用等領(lǐng)域的中國及日本行業(yè)專家。
 
　　其中，公司創(chuàng)始人、CEO梁小廣曾任職于三菱電機(jī)、安森美、采埃孚，擁有16年以上IGBT、SiC功率半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以及多項(xiàng)相關(guān)國際專利；公司聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明曾任上海電驅(qū)動(dòng)事業(yè)部總監(jiān)，熟悉電動(dòng)汽車客戶、供應(yīng)鏈和質(zhì)量體系要求；聯(lián)合創(chuàng)始人邱威曾就職于理查森，有十余年電子器件行業(yè)銷售經(jīng)驗(yàn)；日本研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員平均半導(dǎo)體從業(yè)時(shí)間20年以上，曾就職于三洋、三菱、東芝、日立等公司，研發(fā)中心負(fù)責(zé)人之一的夏目正曾擔(dān)任安森美日本總經(jīng)理。
 
　　營收及出貨方面，利普思的SiC產(chǎn)品已于今年下半年開始量產(chǎn)，明年銷售額將實(shí)現(xiàn)大突破，SiC模塊將超數(shù)十萬個(gè)。2022年，利普思將完成乘用車SiC模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，其中下一代SiC控制器平臺將比市面上同樣電流的模塊體積減小30%以上，還可根據(jù)不同電流要求定制，覆蓋150KW-400KW功率。
 
　　產(chǎn)品推廣方面，利普思以氫能商用車作為市場突破口，逐步拓展到其他商用車市場，以及光伏等工業(yè)市場，同時(shí)重點(diǎn)布局乘用車市場。現(xiàn)階段，利普思主要客戶覆蓋氫燃料電池系統(tǒng)、電動(dòng)商用車、乘用車、光伏等領(lǐng)域。
 
　　德聯(lián)資本執(zhí)行董事方宏博士表示：“能源結(jié)構(gòu)的調(diào)整正在影響我們國計(jì)民生的方方面面，能源供給側(cè)和消費(fèi)側(cè)設(shè)備的器件功率密度提升是必然趨勢，相關(guān)功率器件從IGBT向SiC升級已開始全面加速，然而該產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的襯底、外延、器件、封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)Knowhow大相徑庭，應(yīng)用端也都在不停地追求更高的性能和差異化的應(yīng)用。因此我們認(rèn)為，各環(huán)節(jié)的分工協(xié)作是該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向。利普思是國內(nèi)少有的從基礎(chǔ)材料到封裝工藝進(jìn)行底層創(chuàng)新研發(fā)和量產(chǎn)的SiC模塊團(tuán)隊(duì)，我們非?？春闷涑砷L為汽車、光伏以及工業(yè)等領(lǐng)域領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司。”
 
　　原標(biāo)題：利普思半導(dǎo)體獲近億元A輪融資，德聯(lián)資本領(lǐng)投
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