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光子芯片放大器突破帶寬瓶頸：數據傳輸迎來3倍速躍升

2025-04-01 08:36:45來源：化工儀器網 閱讀量：16005 評論

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　　當摩爾定律逼近物理邊界，光子技術正成為突破瓶頸的關鍵鑰匙。近日，一項突破性研究成果表明，新型光子芯片放大器成功將數據傳輸帶寬提升3倍，這一進展不僅標志著光電子技術邁向新紀元，更預示著未來計算架構的變革。
 
　　傳統(tǒng)電子芯片通過銅導線傳輸電信號，其速度受限于電阻、電容和電磁干擾等物理效應。即便采用最先進的5納米工藝，數據傳輸速率仍難以突破每秒萬億比特(Tb/s)大關。而光子芯片以光波為信息載體，利用光的偏振、波長等特性進行編碼，具有天然的高帶寬、低延遲和抗電磁干擾優(yōu)勢。此次研發(fā)的光子放大器通過優(yōu)化光波導結構，采用量子點摻雜增益介質，實現了對光信號的級聯放大，將單通道傳輸速率從400Gb/s推高至1.2Tb/s，相當于1秒鐘可傳輸240部高清電影。
 
　　該放大器的核心突破在于其三維光互連架構。研究人員將多層硅基光波導垂直堆疊，通過微環(huán)諧振器實現光信號的精準耦合與路由。這種設計將傳統(tǒng)平面光路的"單車道"擴展為立體交叉的"多車道網絡"，配合分布式布拉格反射鏡進行信號整形，有效抑制了光脈沖展寬效應。實驗數據顯示，在10公里傳輸距離內，誤碼率保持在10?¹²量級，完全滿足數據中心長距離傳輸需求。
 
　　當前全球超大規(guī)模數據中心年均耗電量已超過部分國家，其中60%能耗用于數據搬運。光子放大器可支撐單根光纖承載10倍于現狀的數據量，配合空分復用技術，有望將數據中心內部帶寬密度提升至Pbit/s級，顯著降低冷卻與供電壓力。
 
　　面向6G的THz頻段通信需要太赫茲級帶寬支持，光子放大器與硅光子集成收發(fā)模塊結合，可構建超高頻譜效率的前傳網絡。測試中，單基站吞吐量已達10Tb/s，為8K全息視頻流、觸覺互聯網等應用鋪平道路。
 
　　在汽車雷達系統(tǒng)中，光子放大器使激光雷達(LiDAR)的數據刷新率從10Hz躍升至30Hz，結合邊緣計算單元，可將自動駕駛決策延遲壓縮至10毫秒以內。在AR/VR設備中，通過光互連實現的多核處理器協(xié)同，能實時渲染8K@120fps的沉浸式畫面。
 
　　盡管實驗室數據亮眼，光子芯片的產業(yè)化仍面臨成本、工藝兼容性等挑戰(zhàn)。目前單個光子放大器的制造成本約為同功能電子器件的5倍，且需要與CMOS工藝實現無縫集成。業(yè)界預測，隨著300mm硅光子產線陸續(xù)投產，到2028年光子器件價格有望下降至合理區(qū)間。
 
　　更令人期待的是，該技術正與量子計算、神經擬態(tài)計算等前沿領域產生交叉。通過光子放大器構建的光神經網絡，可模擬人腦的低功耗并行計算模式；在量子通信中，其超寬帶特性為量子密鑰分發(fā)提供了理想的信道載體。
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