移動(dòng)端


當(dāng)前位置：興旺寶>資訊首頁(yè)> 技術(shù)前沿
閱讀排行 更多
企業(yè)直播 更多
推薦展會(huì) 更多

半導(dǎo)體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展

2024-07-16 08:37:30來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 閱讀量：86 評(píng)論

分享：

　　波長(zhǎng)連續(xù)調(diào)諧(掃頻)垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在光學(xué)相干層析成像(OCT)、調(diào)頻連續(xù)波(FMCW)激光雷達(dá)、智能制造等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，對(duì)可調(diào)諧VCSEL進(jìn)行功率監(jiān)測(cè)至關(guān)重要。此外，VCSEL具有單縱模、低功耗、易于二維陣列集成等優(yōu)點(diǎn)，是垂直集成光子系統(tǒng)的理想光源。在未來(lái)用于人工智能和傳感等領(lǐng)域的三維垂直集成光子系統(tǒng)中，具有寬帶波長(zhǎng)調(diào)諧和集成功率監(jiān)測(cè)功能的VCSEL是關(guān)鍵器件。
 
　　可調(diào)諧微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)VCSEL是理想的寬帶波長(zhǎng)調(diào)諧激光光源，通過(guò)靜電吸引或者電熱效應(yīng)移動(dòng)MEMS可調(diào)諧反射鏡，改變腔長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)調(diào)諧。實(shí)現(xiàn)集成功率監(jiān)測(cè)功能對(duì)于可調(diào)諧MEMS-VCSEL極具挑戰(zhàn)。通常在VCSEL的n型分布布拉格反射鏡(DBR)一側(cè)集成光電探測(cè)器(PD)監(jiān)測(cè)輸出功率，但是會(huì)降低可調(diào)諧MEMS-VCSEL的波長(zhǎng)調(diào)諧性能，增加器件制作的難度。而在可調(diào)諧MEMS-VCSEL的有源區(qū)p側(cè)引入PD結(jié)構(gòu)，也會(huì)降低器件的輸出功率和波長(zhǎng)調(diào)諧性能。
 
　　最近中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)劉安金研究組在集成功率監(jiān)測(cè)功能的可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展。劉安金研究組在2022年采用一種新器件結(jié)構(gòu)和新制作工藝實(shí)現(xiàn)單模MEMS-VCSEL(Photonics Research 10，1170，2022，期刊封面論文)的基礎(chǔ)上，近期報(bào)道了一種集成PD的可調(diào)諧MEMS-VCSEL，器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。在該器件中MEMS可調(diào)諧亞波長(zhǎng)光柵(HCG)反射鏡和DBR構(gòu)成垂直腔，MEMS可調(diào)諧反射鏡在反偏壓作用下改變垂直腔腔長(zhǎng)，調(diào)諧激射波長(zhǎng)；同時(shí)，有源區(qū)上側(cè)n-i-p型MEMS結(jié)構(gòu)(即PD結(jié)構(gòu))的i型犧牲層吸收腔內(nèi)散射光，實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出光功率的監(jiān)測(cè)，但不降低MEMS-VCSEL的波長(zhǎng)調(diào)諧性能。
 
　　測(cè)試結(jié)果顯示，該可調(diào)諧MEMS-VCSEL在室溫下實(shí)現(xiàn)了27nm的波長(zhǎng)調(diào)諧范圍，如圖2所示，與設(shè)計(jì)結(jié)果吻合。盡管集成PD的材料帶隙能量大于激光光子能量，但是基于光輔助Shockley-Read-Hall機(jī)制，集成PD可以在不降低器件的波長(zhǎng)調(diào)諧性能和輸出光功率的情況下，實(shí)現(xiàn)對(duì)器件輸出光功率的監(jiān)測(cè)，如圖3所示。器件還可作為諧振腔增強(qiáng)光電探測(cè)器，并在926nm波長(zhǎng)處獲得最大響應(yīng)度。
 
　　該工作為實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧MEMS-VCSEL集成功率監(jiān)測(cè)功能提供了一種新思路。
 
　　相關(guān)研究結(jié)果以Detector-integrated vertical-cavity surface-emitting laser with a movable high-contrast grating mirror為題，發(fā)表在《光子學(xué)研究》(Photonics Research)期刊上(Photonics Research 12, 1437, 2024. DOI：10.1364/PRJ.519679)，半導(dǎo)體所博士生王鳴祿為論文第一作者，劉安金研究員為論文通訊作者。該工作得到了鄭婉華院士的悉心指導(dǎo)，還得到了國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目的資助。
 
圖1 (a)集成PD可調(diào)諧MEMS-VCSEL的SEM圖；(b)器件外延結(jié)構(gòu)及摻雜示意圖
 
圖2 (a)在1.0mA連續(xù)電注入條件下，集成PD可調(diào)諧MEMS-VCSEL在不同調(diào)諧電壓下的光譜圖；(b)不同調(diào)諧電壓下的基模波長(zhǎng)
 
圖3 (a)集成PD可調(diào)諧MEMS-VCSEL的光功率-電流-集成PD光電流曲線；(b)集成PD光電流-光功率曲線
 
版權(quán)與免責(zé)聲明：1.凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：興旺寶裝備總站”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：興旺寶裝備總站”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來(lái)源（非興旺寶裝備總站）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
我來(lái)評(píng)論

昵稱 驗(yàn)證碼

文明上網(wǎng)，理性發(fā)言。（您還可以輸入200個(gè)字符)

所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見(jiàn)，與本站立場(chǎng)無(wú)關(guān)

    相關(guān)新聞