GHCJ-900kV沖擊電壓發(fā)生器及其成套裝置
技 術(shù) 方 案
適用范圍
本發(fā)生器適用于110kV電壓等級(jí)下的絕緣子、避雷器套管、合成絕緣子及復(fù)合絕緣子等試品的雷電沖擊電壓全波和雷電沖擊陡波試驗(yàn)。
使用條件
海拔高度：不超過(guò)1000米
環(huán)境溫度：-25℃—+40℃
相對(duì)濕度：不大于85%
最大日溫差：25℃
使用環(huán)境：戶(hù)內(nèi)
無(wú)導(dǎo)電塵埃
無(wú)火災(zāi)及爆炸危險(xiǎn)
無(wú)腐蝕金屬和絕緣的氣體
電源電壓的波形為正弦波，波形畸變率<5%
接地電阻不大于0.5Ω
對(duì)周?chē)踩嚯x不小于2米
三、遵循標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 311.1-1997 高壓輸變電設(shè)備的絕緣與配合
GB/T 16927.1 高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第一部分 一般試驗(yàn)要求
GB/T 16927.2 高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分 測(cè)量系統(tǒng)
GB/T 16896.1 高電壓沖擊試驗(yàn)用數(shù)字記錄儀
ZBF 24001 沖擊電壓試驗(yàn)實(shí)施細(xì)則
JB/T 7616 高壓線(xiàn)路絕緣子陡波沖擊耐受試驗(yàn)
DL/T 557 高電壓線(xiàn)路絕緣子陡波沖擊試驗(yàn)、定義、試驗(yàn)方法和判據(jù)
GB 1000.1-1988 高壓線(xiàn)路針式瓷絕緣子 技術(shù)條件
GB/T 775.2-2003 絕緣子試驗(yàn)方法 第2部分: 電氣試驗(yàn)方法
GB/T 2900.8-1995 電工術(shù)語(yǔ) 絕緣子
GB/T 7253-2005 標(biāo)稱(chēng)電壓高于1000V的架空線(xiàn)路絕緣子 交流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子件 盤(pán)形懸式絕緣子件的特性
GB 1001-1986 盤(pán)形懸式絕緣子技術(shù)條件
GB/T 20642-2006 高壓線(xiàn)路絕緣子空氣中沖擊擊穿試驗(yàn)
四、額定參數(shù)值
標(biāo)稱(chēng)電壓：±900kV
級(jí)電壓：±150kV
額定能量：21.9kJ
每級(jí)主電容： 0.325μF 150kV(單臺(tái)脈沖電容器0.65μF/75kV)
沖擊總電容：0.05417μF
總級(jí)數(shù)：6級(jí)
負(fù)荷電容：300-2000PF以下能產(chǎn)生以下幾種波形
1、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波，±1.2/50μs電壓利用系數(shù)＞90%(空載)；波頭時(shí)間1.2±30%微秒，波尾時(shí)間50±20%微秒。
2、1000～1500 V/nS合成絕緣子陡波沖擊電壓，最大幅值600kV。
這幾種沖擊電壓波形參數(shù)及其偏差均符合有關(guān)國(guó)家GB311及GB16927標(biāo)準(zhǔn)的要求。
五、主要部件
采用恒流充電裝置
采用絕緣筒油浸式充電變壓器，原邊電壓220V，副邊電壓80kV，額定容量5kVA，變壓器密封良好，無(wú)滲漏油；
采用2DL-200kV/100mA的高壓整流硅堆；
充電極性由電機(jī)驅(qū)動(dòng)自動(dòng)轉(zhuǎn)換；
高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；
采用不對(duì)稱(chēng)倍壓充電方式，額定輸出電壓±150kV；
恒流充電裝置在20%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)，
實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
直流電阻分壓器采用150kV，300MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)，低壓臂上的電壓信號(hào)用屏蔽電纜引入控制臺(tái)內(nèi)。
自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用電磁鐵分合接地機(jī)構(gòu)，試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻接地。
恒流充電的電感、電容裝在控制臺(tái)內(nèi)，充電變壓器、高壓整流硅堆、保護(hù)電阻、自動(dòng)換極性裝置、自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)和絕緣支柱等安裝在一移動(dòng)式底盤(pán)上。
充電部分
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