高溫四探針電阻率測(cè)試儀
一.概述：
采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制，解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求，軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜，及過(guò)程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.
二.適用行業(yè)：:
用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
三.型號(hào)及參數(shù)：
標(biāo)準(zhǔn)：GB 1550 硅單晶導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)定方法
GB/T 1552 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?/span>
GB 5256 鍺單晶導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)量方法
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