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北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)SN/STZ-8

品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

更新時(shí)間:2022-05-06 15:50:02瀏覽次數(shù):29次

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北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀 硅單晶材料PN測(cè)量?jī)x

型號(hào):SN/STZ-8

北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2.
北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4.
測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260
主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法:10-4~10Ω?cm

整流法:10~103Ω?cm,并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

4. 測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5. 電源:220V 50HZ 20W

6. 儀器尺寸:100×260×260

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