產(chǎn)品介紹：
諧振型電光調(diào)制器（R-EOM）在抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)上，開發(fā)了諧振型電光相位調(diào)制器，可以有效降低半波電壓、提高調(diào)制深度以及抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制，提高系統(tǒng)鎖定穩(wěn)定性等。該調(diào)制器廣泛應(yīng)用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子鐘、時(shí)頻傳輸?shù)阮I(lǐng)域。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
諧振頻率0.1 MHz-100 MHz
鈮酸鋰電光晶體
射頻驅(qū)動功率2W
損傷閾值≤2W/mm2
產(chǎn)品應(yīng)用：
量子信息
激光物理
原子物理
原子鐘
時(shí)頻傳輸
技術(shù)參數(shù)：
諧振頻率f0 1) | 0.1 MHz-100 MHz |
典型帶寬Δν | 0.025*f0 |
Q | 40 |
射頻驅(qū)動功率 | 2 W |
電光晶體 | 鈮酸鋰 |
通光孔徑 | ф3 mm |
使用波長范圍 | 400 nm-2μm |
損傷閾值 | 2 W/mm2 |
表面質(zhì)量 | ≤ 20-10 |
平面度 | ≤ λ/8@633nm |
波前畸變 | ≤ λ/6@633nm |
1)室溫24.5℃下測試數(shù)據(jù)
產(chǎn)品外觀尺寸：
備注：上圖為典型外觀尺寸，可定制外觀尺寸、螺紋大小、位置及溫控套件，溫控套件需另配。
產(chǎn)品性能：
諧振頻率f0 (MHz) | 1rad所需驅(qū)動(Vpp)@852nm 普通版 | 1rad所需驅(qū)動(Vpp)@852nm Pro版 |
0.1 | --- | --- |
5 | 6 ± 0.5 | 3.0 ± 0.5 |
10 | 8 ± 0.5 | 3.9 ± 0.5 |
12 | 8.5 ± 0.5 | 4.2 ± 0.5 |
15 | 9.5 ± 0.5 | 4.7 ± 0.5 |
20 | 11 ± 0.5 | 5.5 ± 0.5 |
25 | 12.8 ± 0.5 | 6.4 ± 0.5 |
30 | 14.5 ± 0.5 | 7.2 ± 0.5 |
50 | --- | 9.8± 0.5 |
80 | --- | 11.7 ± 0.5 |
Pro版本R-EOM的調(diào)制深度測試結(jié)果如下圖所示，諧振頻率為5.0 MHz的R-EOM達(dá)到調(diào)制深度1.435時(shí)所需4.3 Vpp峰峰值驅(qū)動。
諧振頻率為10.0 MHz時(shí)，5.6 Vpp驅(qū)動實(shí)現(xiàn)調(diào)制深度1.435；
諧振頻率為20.0 MHz時(shí)，7.9 Vpp驅(qū)動實(shí)現(xiàn)調(diào)制深度1.435；
諧振頻率為50.0 MHz時(shí)，14 Vpp驅(qū)動實(shí)現(xiàn)調(diào)制深度1.435；
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