2018年重點研發(fā)專項申報指南發(fā)布 含儀器儀表

8月3日，*發(fā)布了重點研發(fā)計劃“智能機器人”等重點專項2018年度項目申報指南，其中“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵零部件”重點專項在列，包含*傳感器和儀器儀表等內(nèi)容。
 
　　根據(jù)“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵零部件”重點專項2018年度項目申報指南，本重點專項按照產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈的要求，從基礎(chǔ)前沿技術(shù)、共性關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用示范三個層面，圍繞關(guān)鍵基礎(chǔ)件、基礎(chǔ)制造工藝、*傳感器、儀器儀表和基礎(chǔ)保障技術(shù)五個方向部署實施。專項實施周期為5年(2018-2022年)。
 
　　2018年，在五個方向按照基礎(chǔ)前沿技術(shù)類、共性關(guān)鍵技術(shù)類和應(yīng)用示范類，擬啟動不少于43個項目，擬安排國撥經(jīng)費總概算約6億元。(更多詳情請見附件)。
 
　　涉及*傳感器和儀器儀表的內(nèi)容中國儀表網(wǎng)整理如下：
 
　　一、 *傳感器
 
　　1. 高性能硅壓力、加速度、角速度傳感器前沿技術(shù)(基礎(chǔ)前沿技術(shù)類)
 
　　研究內(nèi)容：研究新型諧振式硅傳感器敏感原理和結(jié)構(gòu)；研究傳感器非線性效應(yīng)、耦合效應(yīng)、溫度效應(yīng)及工藝誤差影響；研究傳感器優(yōu)化設(shè)計、制造工藝控制、低應(yīng)力封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)閉環(huán)信號檢測與控制電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制高精度硅壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器原型器件，并在流程工業(yè)與機器人領(lǐng)域試用驗證。
 
　　考核指標：壓力傳感器量程0～1MPa，精度優(yōu)于0.01%FS；加速度傳感器量程±15g，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于1g；角速度傳感器量程±200/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1/h。
 
　　2.基于量子效應(yīng)的微納傳感器前沿技術(shù)(基礎(chǔ)前沿技術(shù)類)
 
　　研究內(nèi)容：研究基于量子效應(yīng)的芯片式角速度傳感器、磁場傳感器設(shè)計方法；研究傳感器電子自旋-核自旋相互作用機理、溫度效應(yīng)；研究諧振頻率控制、微型腔室制備、真空封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)激光器、探測器、處理電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制高精度角速度傳感器、磁場傳感器原型器件，并在重大技術(shù)裝備中試用驗證。
 
　　考核指標：角速度傳感器表頭體積≤100cm3，量程±200/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1/h；磁場傳感器表頭體積≤10cm3，靈敏度優(yōu)于10fT/Hz1/2。
 
　　3.無線無源微納傳感器前沿技術(shù)(基礎(chǔ)前沿技術(shù)類)
 
　　研究內(nèi)容：研究微型化聲表面波(SAW)、電感-電容(LC)無線傳感器設(shè)計；研究傳感器多參數(shù)敏感的耦合效應(yīng)；研究傳感器結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計、曲面襯底上傳感器制備工藝、封裝、工業(yè)環(huán)境無線信號傳輸?shù)汝P(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)信號調(diào)制解調(diào)技術(shù)及處理電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制SAW和LC多參數(shù)監(jiān)測傳感器原型器件，并在燃氣輪機主軸、軸承健康狀況監(jiān)測中試用驗證。
 
　　考核指標：SAW傳感器：溫度量程-40℃～+1000℃，誤差±1%；應(yīng)變量程±3000μ，誤差±1%；氣壓量程0～4MPa，誤差±1%。LC傳感器：溫度量程-20℃～+120℃，誤差±1%；應(yīng)變量程±1000μ，誤差±1%；振動量程±6g，誤差±1%。
 
　　4.微納傳感器與電路協(xié)同設(shè)計技術(shù)及設(shè)計工具(共性關(guān)鍵技術(shù)類)
 
　　研究內(nèi)容：建立熱/機械/電學多物理場耦合模型、硅表面加工與體加工工藝模型、閉環(huán)控制傳感器宏模型；研究具有*自主知識產(chǎn)權(quán)、包含器件級、工藝級、系統(tǒng)級設(shè)計功能的微納傳感器綜合設(shè)計工具；研究微納傳感器與電路協(xié)同設(shè)計技術(shù)，并實現(xiàn)與集成電路(IC)設(shè)計工具的無縫連接；形成集成傳感器知識產(chǎn)權(quán)庫(IP)，IP經(jīng)過生產(chǎn)線驗證。
 
　　考核指標：器件級耦合分析自由度≥1×107；工藝級仿真與實驗偏差優(yōu)于5%；系統(tǒng)級仿真與實驗偏差優(yōu)于10%；閉環(huán)控制集成傳感器IP不少于3種，軟件銷售≥10套。
 
　　5.微納傳感器與電路單片集成工藝技術(shù)及平臺(共性關(guān)鍵技術(shù)類)
 
　　研究內(nèi)容：研究在同一芯片上制造微納傳感器與IC的工藝技術(shù)；以互補-金屬-氧化物-硅(CMOS)工藝線為基礎(chǔ)，研究與 CMOS工藝兼容的微納傳感器表面加工、體加工、硅直接鍵合加工等關(guān)鍵技術(shù)；建立可量產(chǎn)的微納傳感器與電路單片集成制造技術(shù)并形成標準制程規(guī)范，實現(xiàn)單片集成微納傳感器規(guī)?；a(chǎn)。
 
　　考核指標：圓片直徑≥150mm，單片集成傳感器成品率≥80%，成套制程規(guī)范或標準≥3項；服務(wù)用戶數(shù)≥3家，開發(fā)單片集成傳感器不少于3種，生產(chǎn)能力≥5000片/年，銷售單片集成傳感器≥100萬只。
 
　　6.高溫硅壓力傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用(應(yīng)用示范類)
 
　　研究內(nèi)容：研究高可靠性MEMS高溫硅壓力傳感器結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)；研究低應(yīng)力無引線封裝、溫度補償、高溫電路(ASIC)芯片等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)測控接口電路；實現(xiàn)批量化生產(chǎn)并在重大技術(shù)裝備中應(yīng)用。
 
　　考核指標：溫度范圍-55℃～+225℃，量程0～200kPa、0～60MPa，精度優(yōu)于0.25%FS，零點漂移優(yōu)于2%FS@100℃，*穩(wěn)定性優(yōu)于0.1%FS/年，固頻率≥200kHz，過載壓力≥2倍額定壓力；形成傳感器芯片制造、封裝到應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)化鏈，生產(chǎn)能力≥5000 套/年，銷售量≥1000 套。
 
　　有關(guān)說明：由企業(yè)牽頭申報。
 
　　7.單片集成多軸傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用(應(yīng)用示范類)
 
　　研究內(nèi)容：研究單芯片集成多軸傳感器可復(fù)用的模塊化設(shè)計技術(shù)；研究傳感器單面微機械加工工藝、芯片內(nèi)薄膜真空封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)多軸傳感器信號處理、融合與測試技術(shù)；形成單芯片集成多軸傳感器制程規(guī)范，實現(xiàn)批量化生產(chǎn)并在大型起重輸運裝備、電梯生產(chǎn)線等行業(yè)應(yīng)用。
 
　　考核指標：晶圓直徑≥150mm，成品率≥90%；單片三軸磁場傳感器分辨率優(yōu)于50nT，單片三軸加速度傳感器分辨率優(yōu)于100g，單片三軸角速度傳感器偏置穩(wěn)定性優(yōu)于1/h，單片三分量應(yīng)力傳感器分辨率優(yōu)于10kPa；生產(chǎn)能力≥5000片/年，銷售量≥100萬只。