南京濱正紅儀器有限公司
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微波消解罐屹堯XTW-8000配TOPEX儀器40位

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)ZH-TFM

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地南京市

更新時(shí)間:2022-05-16 14:00:02瀏覽次數(shù):15次

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微波消解罐屹堯XTW-8000配TOPEX儀器40位,可以配套我司定制的趕酸電熱板又稱趕酸板、樣品處理器、趕酸儀、消解器。適用于食品、疾控、農(nóng)科院、醫(yī)藥、農(nóng)業(yè)、林業(yè)、環(huán)保、化工、生化等行業(yè)以及高等院校、科研部門對(duì)微波消解、高壓消解的后期趕酸,是原子吸收、原子熒光、ICP- AES、AA、ICP- MS等分析儀器的理想配套產(chǎn)品。

微波消解罐屹堯XTW-8000配TOPEX儀器40位

       對(duì)于微波消解儀內(nèi)罐材質(zhì)而言一般有4種即:PTFE、TFM、PFA、石英,前三種都屬于氟塑料類型。三種材料相比,不管是從耐溫性還是耐受壓力等方面來(lái)講TFM無(wú)疑是好的選擇,因此目前一般進(jìn)口微波消解消解儀內(nèi)罐都是選用TFM材質(zhì)的。除了PTFE的所有優(yōu)點(diǎn)外,還有一些值得注意的特性改進(jìn):高溫高壓下形變性更小、滲透性更小、高溫下重壓恢復(fù)性更好、很高的表面光潔度;

TFM微波消解罐特點(diǎn):

1. 內(nèi)罐選用改性聚四氟乙烯(TFM)材質(zhì)加工而成

2. 精選材質(zhì),未添加回料,潔凈的加工環(huán)境,優(yōu)化了加工工藝,確保低的本底

3. TFM耐高低溫-200~+260℃,極限可耐300℃,具有空白值更低,耐變形性更好,耐滲透,高溫高壓下恢復(fù)性更強(qiáng)等特點(diǎn)

4.我廠特殊研發(fā)的生產(chǎn)工藝,保證了特別廠家的超長(zhǎng)內(nèi)罐的光潔度

產(chǎn)品參數(shù)(上海屹堯微波罐)

型號(hào)

8000/6000/4000/TOPEX-40/Med一C

耐受溫度

-200~+260℃,限可耐300℃

材質(zhì)

進(jìn)口TFM 材質(zhì)

尺寸

與原廠儀器匹配

我廠可定制的各個(gè)廠家微波消解儀內(nèi)罐如下:

美國(guó)CEM邁爾斯通、、耶拿、上海新儀、上海新拓、上海屹堯、北分瑞利、北京祥鵠、山東海能等,我廠特殊研發(fā)的生產(chǎn)工藝保證特別廠家(如CEM MARS5、MARS6、XPRESS)的超長(zhǎng)罐的光潔度。

微波消解罐屹堯XTW-8000配TOPEX儀器40位,可以配套我司定制的趕酸電熱板又稱趕酸板、樣品處理器、趕酸儀、消解器。適用于食品、疾控、農(nóng)科院、醫(yī)藥、農(nóng)業(yè)、林業(yè)、環(huán)保、化工、生化等行業(yè)以及高等院校、科研部門對(duì)微波消解、高壓消解的后期趕酸,是原子吸收、原子熒光、ICP- AES、AA、ICP- MS等分析儀器的理想配套產(chǎn)品。

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)

GS

孔數(shù)、孔徑要求

可根據(jù)客戶樣品量加工成12 、16、20、24、36、42、54、63、72等位數(shù)及特殊孔徑×深度的電熱板

加熱方式

環(huán)繞式電加熱 PID數(shù)顯

溫控范圍

室溫-200℃

控溫精度

±1℃

加熱板塊表面防腐

進(jìn)口Teflon涂層

加熱板材質(zhì)

精致鋁合金

額定電壓

220V

連續(xù)工作時(shí)間

>48h

配套產(chǎn)品

美國(guó)CEM、邁爾斯通、利曼、上海新儀、北分瑞利、、上海屹堯等廠家的內(nèi)罐,消解罐內(nèi)杯、燒杯、試管、坩堝、消解罐內(nèi)杯、PFA溶樣罐等

產(chǎn)品特點(diǎn):

1、進(jìn)口優(yōu)質(zhì)PFA 涂層, 一抹即凈、不生銹,特氟隆防腐鑄鋁加熱板升溫速度快

2、工作溫度:室溫至260℃,可連續(xù)工作48h,5-30分鐘可升到200℃(因孔深而異)

3、一次性處理樣品量大,用時(shí)短,與只是靠平面供熱輻射立面的一般孔式消解儀相比,能夠提高50%的工作效率

4、環(huán)繞式加熱,孔間溫差小,加熱均勻,使用方便,壽命長(zhǎng)。

5、板面與控制盒可以做成分體式,裸露部分都采用PFA管子包裹,這樣在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的酸霧就不會(huì)腐蝕控制盒里的元器件,從而增加了使用壽命,多個(gè)樣品同時(shí)處理無(wú)交叉污染

6、消解均勻:器皿底部及360°包裹式加熱,使得樣品加熱無(wú)盲點(diǎn),穩(wěn)定性好,均勻性好

7、可增加時(shí)間設(shè)定功能,分段式溫控,即程序升溫

8、儀器周圍可增置外殼,美觀且保溫

酸純化系統(tǒng)又稱酸純化儀,高純酸提純器,酸試劑提純器,高純酸蒸餾純化器等,實(shí)驗(yàn)室工作中常常由于酸的純度較差,造成分析結(jié)果的偏差與錯(cuò)誤。市售的超純酸往往由于價(jià)格較貴,很難滿足日常分析中對(duì)酸的大量需求。因此,提純優(yōu)化酸的質(zhì)量,是為經(jīng)濟(jì)可行的途徑,我廠的酸純化器可用于實(shí)驗(yàn)室如HNO3、HCl、HF、堿溶液和有機(jī)溶劑的純化,純化后的酸和Merck的一樣好,實(shí)驗(yàn)后期可配套我單位Teflon特氟龍系列試劑瓶收取高純酸。

二、工作原理:

酸純化系統(tǒng)是利用熱輻射原理,保持液體溫度低于沸點(diǎn)溫度蒸發(fā),再將其酸蒸氣冷凝從而制備高純水和高純?cè)噭瑥V泛應(yīng)用于樣品處理及分析實(shí)驗(yàn)中。

三、我廠酸純化系統(tǒng)優(yōu)勢(shì):

1、密閉環(huán)境下提純酸,不受環(huán)境污染,確保酸純度;

2節(jié)約成本、方便實(shí)驗(yàn):較短時(shí)間內(nèi)純化低成本的酸試劑以達(dá)到痕量分析要求;

3、可以滿足ICP、ICP-MS低的檢測(cè)限需要及苛刻的分析應(yīng)用中提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)超純酸,所用容器均采用Teflon耐腐蝕無(wú)吸附塑料,可處理如HNO3、HCl、HF等實(shí)驗(yàn)室的常用酸;

4、實(shí)驗(yàn)證明將金屬雜質(zhì)含量約10ppb的酸經(jīng)過(guò)一次蒸餾后,金屬雜質(zhì)含量可以降低到0.01ppb左右。若對(duì)酸要求更高,可增加提純次數(shù);

5、可拆卸清洗,避免腔體里面*提純,造成金屬雜質(zhì)含量沉積越來(lái)越多,影響提純的質(zhì)量;

四、相關(guān)參數(shù):

型號(hào)

CH-I 500ml

CH-II   1000ml

CH-Ⅲ  2000ml

名稱

酸純化系統(tǒng)

酸純化系統(tǒng)

酸純化系統(tǒng)

產(chǎn)酸率

30ml/h

50ml/h

70ml/h

溫控方式

PID溫控?cái)?shù)顯

PID溫控?cái)?shù)顯

PID溫控?cái)?shù)顯

控溫精度

±1℃

±1℃

±1℃

材質(zhì)

FEP、PTFE、硅膠

電壓

220V/50Hz

功率(W)

350

優(yōu)勢(shì)

1.密閉環(huán)境下提純酸,不受環(huán)境污染,確保酸純度

2.純FEP、PTFE材質(zhì)制造,空白值低無(wú)腐蝕

3.技術(shù)*,結(jié)構(gòu)合理,操作簡(jiǎn)單,一鍵式操作,蒸干自我保護(hù)

4.提純過(guò)程中,少量酸氣逸出

使用注意事項(xiàng):
1、所有配件(控制器、電源線、加熱片等除外)放入按實(shí)驗(yàn)要求一定濃度的酸液中浸泡,去除雜質(zhì)。

2、加酸前須做好個(gè)人防護(hù)如:防濺眼鏡、防酸手套等(蒸水除外)。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(僅供參考):儀器:CH-I 高純酸提純器;試劑:優(yōu)級(jí)純的HF
 蒸餾后,經(jīng)
中國(guó)地質(zhì)大學(xué)地質(zhì)過(guò)程與礦產(chǎn)資源重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室ICP-MS檢測(cè)出HF中雜質(zhì)的含量

元素

測(cè)量濃度(ng/g=ppb)

元素

測(cè)量濃度(ng/g=ppb)

Be

<0.01

Ba

<0.01

Mg

<0.02

La

<0.01

Sc

<0.01

Ce

<0.01

V

<0.01

Pr

<0.01

Cr

<0.03

Nd

<0.01

Mn

<0.01

Eu

<0.01

Co

<0.01

Gd

<0.01

Ni

<0.01

Tb

<0.01

Zn

<0.02

Er

<0.01

Ga

<0.01

Tm

<0.01

Rb

<0.01

Yb

<0.01

Sr

<0.02

Lu

<0.01

Zr

<0.01

Hf

<0.01

Cd

<0.01

Pb

<0.01

Sn

<0.01

Th

<0.01

Cs

<0.01

U

<0.01

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