《硅光電倍增器參數(shù)校準(zhǔn)規(guī)范》征求意見

　　根據(jù)國家?guī)垐霰O(jiān)督管理總局下達(dá)的國家計量技術(shù)規(guī)范制修訂計劃，全國光學(xué)計量技術(shù)委員會已完成《硅光電倍增器參數(shù)》國家計量技術(shù)規(guī)范的征求意見稿。為了使國家計量技術(shù)規(guī)范能廣泛適用和更具操作性，特向全國有關(guān)單位征求意見和建議。
 

　　SiPM 實質(zhì)上是在硅片上以并聯(lián)形成集成的成千上萬個工作在蓋格模式下的探測器。相較于傳統(tǒng)光電倍增管，優(yōu)勢在于其具有更大的增益、更高的光子探測效率、更寬的動態(tài)范圍和更快的響應(yīng)速度，特別是其增益對磁場不敏感。
 

　　SiPM 的應(yīng)用效果依賴其性能，如何表征 SiPM 不僅是 SiPM 應(yīng)用者更是 SiPM 研發(fā)人員必須面對的課題。全面表征 SiPM 的性能可引入的光電參量很多。電學(xué)性能主要體現(xiàn)在其 IV 特性，包括擊穿電壓、過偏壓、增益、光學(xué)串話率、后脈沖率、恢復(fù)時間等；光學(xué)性能主要包括暗計數(shù)、光子探測效率、動態(tài)范圍、單光子時間分辨率等。從應(yīng)用和研發(fā)角度講，電學(xué)性能參數(shù)主要體現(xiàn) SiPM 的工作狀態(tài)，而才更能體現(xiàn)品質(zhì)。因此本規(guī)范將校準(zhǔn)的對象聚焦在 SiPM 的光學(xué)性能參數(shù)上。
 

　　本規(guī)范為初次制定。JJF 1001《通用計量術(shù)語及定義》、JJF 1032《光學(xué)輻射計量名詞術(shù)語及定義》、JJF 1059.1《測量不確定評定與表示》和 JJF 1071《國家計量校準(zhǔn)規(guī)范編寫規(guī)則》共同構(gòu)成支撐本規(guī)范編訂的基礎(chǔ)性系列規(guī)范。
 

　　依據(jù) JJF 1071《國家計量校準(zhǔn)規(guī)范編寫規(guī)則》，本規(guī)范主要內(nèi)容包括：范圍；術(shù)語；概述；計量特性；校準(zhǔn)條件；外觀要求；校準(zhǔn)方法；校準(zhǔn)結(jié)果；復(fù)校時間間隔以及附錄A、B、C、D等內(nèi)容。
 

　　校準(zhǔn)環(huán)境條件：
 

　　校準(zhǔn)環(huán)境溫度23℃±5℃；相對濕度<70%。校準(zhǔn)環(huán)境應(yīng)備置遮光設(shè)施，防止其它強(qiáng)光源直射校準(zhǔn)設(shè)備。
 

　　測量標(biāo)準(zhǔn)及其他設(shè)備：
 

　　用于硅光電倍增器參數(shù)校準(zhǔn)的設(shè)備包括：已知響應(yīng)度的光電倍增管(PMT)或硅光電池(PIN)、三窗積分球、發(fā)光二極管、激光器、發(fā)光二極管(LED)、信號發(fā)生器、微電流計、高速示波器、穩(wěn)壓電源、高壓電源。
 

　　校準(zhǔn)結(jié)果：
 

　　校準(zhǔn)結(jié)果應(yīng)在校準(zhǔn)證書上反映。校準(zhǔn)證書應(yīng)至少包括以下信息：a)標(biāo)題：“校準(zhǔn)證書”；b)實驗室名稱和地址；c)進(jìn)行校準(zhǔn)的地點(diǎn)(如果與實驗室的地址不同)；d)證書的唯一性標(biāo)識(如編號)，每頁及總頁數(shù)的標(biāo)識；e)客戶的名稱和地址；f) 被校對象的描述和明確標(biāo)識；g)進(jìn)行校準(zhǔn)的日期，如果與校準(zhǔn)結(jié)果的有效性和應(yīng)用有關(guān)時，應(yīng)說明被校對象的接收日期；h)如果與校準(zhǔn)結(jié)果的有效性應(yīng)用有關(guān)時，應(yīng)對被校樣品的抽樣程序進(jìn)行說明；i) 校準(zhǔn)所依據(jù)的技術(shù)規(guī)范的標(biāo)識，包括名稱及代號；j) 本次校準(zhǔn)所用測量標(biāo)準(zhǔn)的溯源性及有效性說明；k)校準(zhǔn)環(huán)境的描述；l) 校準(zhǔn)結(jié)果及其測量不確定度的說明；m) 對校準(zhǔn)規(guī)范的偏離的說明；n)校準(zhǔn)證書或校準(zhǔn)報告簽發(fā)人的簽名、職務(wù)或等效標(biāo)識；o)校準(zhǔn)結(jié)果僅對被校準(zhǔn)對象有效的聲明；未經(jīng)實驗室書面批準(zhǔn)，不得部分復(fù)制證書的聲明。
 

　　復(fù)校時間間隔：
 

　　硅光電倍增器的建議復(fù)校時間間隔為二年。由于器件保持量值穩(wěn)定性的狀況不但與器件自身的品質(zhì)相關(guān)，也與器件的保存和使用條件以及使用者的水平等諸多因素緊密關(guān)聯(lián)，因此，送校單位可根據(jù)實際使用情況自主決定硅光電倍增器的復(fù)校時間間隔。
 

　　本規(guī)范適用于寬波段輻照計的校準(zhǔn)。
 

　　相關(guān)資料下載：SiPM.pdf