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《硅光電倍增器參數(shù)校準規(guī)范》征求意見

2022-06-21 11:47:40來源：儀表網(wǎng) 閱讀量：162 評論

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　　根據(jù)國家?guī)垐霰O(jiān)督管理總局下達的國家計量技術規(guī)范制修訂計劃，全國光學計量技術委員會已完成《硅光電倍增器參數(shù)》國家計量技術規(guī)范的征求意見稿。為了使國家計量技術規(guī)范能廣泛適用和更具操作性，特向全國有關單位征求意見和建議。
 
　　SiPM 實質(zhì)上是在硅片上以并聯(lián)形成集成的成千上萬個工作在蓋格模式下的探測器。相較于傳統(tǒng)光電倍增管，優(yōu)勢在于其具有更大的增益、更高的光子探測效率、更寬的動態(tài)范圍和更快的響應速度，特別是其增益對磁場不敏感。
 
　　SiPM 的應用效果依賴其性能，如何表征 SiPM 不僅是 SiPM 應用者更是 SiPM 研發(fā)人員必須面對的課題。全面表征 SiPM 的性能可引入的光電參量很多。電學性能主要體現(xiàn)在其 IV 特性，包括擊穿電壓、過偏壓、增益、光學串話率、后脈沖率、恢復時間等；光學性能主要包括暗計數(shù)、光子探測效率、動態(tài)范圍、單光子時間分辨率等。從應用和研發(fā)角度講，電學性能參數(shù)主要體現(xiàn) SiPM 的工作狀態(tài)，而才更能體現(xiàn)品質(zhì)。因此本規(guī)范將校準的對象聚焦在 SiPM 的光學性能參數(shù)上。
 
　　本規(guī)范為初次制定。JJF 1001《通用計量術語及定義》、JJF 1032《光學輻射計量名詞術語及定義》、JJF 1059.1《測量不確定評定與表示》和 JJF 1071《國家計量校準規(guī)范編寫規(guī)則》共同構成支撐本規(guī)范編訂的基礎性系列規(guī)范。
 
　　依據(jù) JJF 1071《國家計量校準規(guī)范編寫規(guī)則》，本規(guī)范主要內(nèi)容包括：范圍；術語；概述；計量特性；校準條件；外觀要求；校準方法；校準結果；復校時間間隔以及附錄A、B、C、D等內(nèi)容。
 
　　校準環(huán)境條件：
 
　　校準環(huán)境溫度23℃±5℃；相對濕度<70%。校準環(huán)境應備置遮光設施，防止其它強光源直射校準設備。
 
　　測量標準及其他設備：
 
　　用于硅光電倍增器參數(shù)校準的設備包括：已知響應度的光電倍增管(PMT)或硅光電池(PIN)、三窗積分球、發(fā)光二極管、激光器、發(fā)光二極管(LED)、信號發(fā)生器、微電流計、高速示波器、穩(wěn)壓電源、高壓電源。
 
　　校準結果：
 
　　校準結果應在校準證書上反映。校準證書應至少包括以下信息：a)標題：“校準證書”；b)實驗室名稱和地址；c)進行校準的地點(如果與實驗室的地址不同)；d)證書的唯一性標識(如編號)，每頁及總頁數(shù)的標識；e)客戶的名稱和地址；f) 被校對象的描述和明確標識；g)進行校準的日期，如果與校準結果的有效性和應用有關時，應說明被校對象的接收日期；h)如果與校準結果的有效性應用有關時，應對被校樣品的抽樣程序進行說明；i) 校準所依據(jù)的技術規(guī)范的標識，包括名稱及代號；j) 本次校準所用測量標準的溯源性及有效性說明；k)校準環(huán)境的描述；l) 校準結果及其測量不確定度的說明；m) 對校準規(guī)范的偏離的說明；n)校準證書或校準報告簽發(fā)人的簽名、職務或等效標識；o)校準結果僅對被校準對象有效的聲明；未經(jīng)實驗室書面批準，不得部分復制證書的聲明。
 
　　復校時間間隔：
 
　　硅光電倍增器的建議復校時間間隔為二年。由于器件保持量值穩(wěn)定性的狀況不但與器件自身的品質(zhì)相關，也與器件的保存和使用條件以及使用者的水平等諸多因素緊密關聯(lián)，因此，送校單位可根據(jù)實際使用情況自主決定硅光電倍增器的復校時間間隔。
 
　　本規(guī)范適用于寬波段輻照計的校準。
 
　　相關資料下載：SiPM.pdf

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