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三維垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管問世 可用來生產(chǎn)高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件

2022-06-16 18:12:56來源：化工儀器網(wǎng) 閱讀量：151 評(píng)論

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　　存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)管理要實(shí)現(xiàn)的目的是為用戶提供方便、安全和充分大的存儲(chǔ)空間。隨著近年來的發(fā)展, 存儲(chǔ)器的變化日新月異, 各種新型存儲(chǔ)器進(jìn)入市場(chǎng), 普及針對(duì)新型存儲(chǔ)器的維護(hù)方法已經(jīng)迫在眉睫。
 
　　在存儲(chǔ)器的尺寸、容量和可負(fù)擔(dān)性方面，消費(fèi)類閃存驅(qū)動(dòng)器已取得了巨大的進(jìn)步，但新的機(jī)器學(xué)習(xí)和大數(shù)據(jù)應(yīng)用程序正繼續(xù)推動(dòng)對(duì)創(chuàng)新的需求。此外，支持云的移動(dòng)設(shè)備和未來的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)也需要節(jié)能且體積更小的內(nèi)存。而當(dāng)前的閃存技術(shù)卻需要相對(duì)較大的電流來讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。
 
　　反鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 可以非易失性方式存儲(chǔ)1和0，這便意味著它不需要一直供電。東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所科學(xué)家開發(fā)了一種基于鐵電和FET的概念驗(yàn)證3D堆疊存儲(chǔ)單元，該晶體管具有原子層沉積的氧化物半導(dǎo)體通道，其垂直設(shè)備結(jié)構(gòu)還增加了信息密度并降低了操作能源需求。此外，他們還發(fā)現(xiàn)通過使用反鐵電體代替鐵電體，只需要很小的凈電荷，就能夠提高寫入的效率。
 
　　經(jīng)驗(yàn)證，該項(xiàng)器件在至少1000個(gè)周期內(nèi)都可保持穩(wěn)定，并且研究人員還使用第一原理計(jì)算機(jī)模擬繪制了最穩(wěn)定的表面狀態(tài)。新方法或?qū)O大地改善非易失性存儲(chǔ)器，催生新的更小、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，有助于實(shí)現(xiàn)下一代消費(fèi)電子產(chǎn)品。
 
　　(資料來源：科技日?qǐng)?bào))
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