全球首發(fā)全柵極場效應(yīng)晶體管!三星將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比暴降50%
據(jù)韓國媒體報道稱,三星將在未來幾天宣布開始批量制造,在生產(chǎn)世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。- 2022-06-29 14:01:47 127
- 晶體管3nm工藝
導讀:根據(jù)臺積電的計劃,3nm工藝會在今年下半年試產(chǎn),明年大規(guī)模量產(chǎn),而2nm工藝會在2024年試產(chǎn),2025年開始量產(chǎn),可能是下半年或者年底。
全球首發(fā)全柵極場效應(yīng)晶體管!三星將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比暴降50%
據(jù)韓國媒體報道稱,三星將在未來幾天宣布開始批量制造,在生產(chǎn)世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。高效有機雙極晶體管作頻率首次達到千兆赫茲 為有機電子學開辟全新前景
晶體管的性能與日俱增,極大加快了數(shù)據(jù)的處理速度。但這些晶體管比較堅硬,不太適用于研制新型柔性電子元件,如可折疊的電視顯示屏或醫(yī)療領(lǐng)域使用的儀器等。臺積電計劃2025年實現(xiàn)N2環(huán)柵場效應(yīng)晶體管芯片量產(chǎn)
作為一個全新的平臺,臺積電 N2 節(jié)點將結(jié)合 GAAFET 納米片晶體管和背面供電工藝、并運用廣泛的極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
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