如今5G正滲透在我們生活的方方面面,從智能手機(jī)、智能汽車到移動(dòng)通信,愈發(fā)成熟的新技術(shù)為生活帶來無限可能。同時(shí),5G基站、微基站、終端設(shè)備等對相關(guān)的配套設(shè)施及關(guān)鍵器件也提出了新的要求,新材料領(lǐng)域面臨性能升級與產(chǎn)品換代。對此,化工及新材料行業(yè)也在抓住時(shí)代發(fā)展的機(jī)遇,在5G領(lǐng)域不斷尋得突破。
埃萬特
全新一代信號通透TPE方案
5G通信意味著更快的速度、更高的容量和更低的延遲,這需要通過高頻通信技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。而高頻通信技術(shù)要求手機(jī)外殼等配件的材料具有較低的介電常數(shù)。埃萬特Versaflex CE 3140信號通透TPE系列專為手機(jī)外殼和其他5G通信設(shè)備配件而設(shè)計(jì),與標(biāo)準(zhǔn)TPE材料相比,它具有更低的介電常數(shù)(Dk)和損耗因數(shù)(Df),能夠有效提高智能終端設(shè)備的信號傳輸速度,降低信號延遲并減少信號損失。Versaflex CE 3140信號通透TPE系列可注塑成型,也適用于PC、ABS、PC/ABS和COPE的包覆成型。此外,Versaflex CE 3140透明TPE系列還能提供與傳統(tǒng)手機(jī)殼材料同等出色的物理性能、抗紫外線性能和美觀性等。
光華科技
5G電子化學(xué)品取得關(guān)鍵性的突破
順應(yīng)5G技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用,光華科技圍繞國家重點(diǎn)關(guān)注的5G領(lǐng)域展開關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),提前布局應(yīng)用于5G的產(chǎn)品,重點(diǎn)開發(fā)與5G基站、5G天線、終端的射頻模塊以及其他電路或元器件等相配套的關(guān)鍵電子化工新材料。目前,光華科技的5G電子化學(xué)品已取得關(guān)鍵性的突破,如多層板的壓合前處理采用無微蝕鍵合處理,光華科技開發(fā)出了新型鍵合劑(SF-Bond 2002),適應(yīng)新一代通訊所使用的高頻高速PCB加工需要。為滿足5G服務(wù)器多功能大背板高厚徑比電鍍的要求,無柱狀結(jié)晶、高可靠性的新型脈沖電鍍工藝已在客戶上線,該工藝可電鍍厚徑比20:1以上的電路板。
科思創(chuàng)
Desmopan 7000熱塑性聚氨酯(TPU)
來自科思創(chuàng)的新型Desmopan 7000熱塑性聚氨酯(TPU),對5G頻率展現(xiàn)出的高穿透性,可以減少信號損失,非常適用于5G應(yīng)用。此外,Desmopan 7000系列還以其固有的抗沖擊和抗振動(dòng)特性而聞名,這也是TPU塑料的特點(diǎn)。它們還具有卓越的耐磨性和在廣泛的溫度范圍內(nèi)的靈活性,以及在整個(gè)硬度范圍內(nèi)的良好彈性。因此,也能很好地保護(hù)配備了它們的手機(jī)免受機(jī)械沖擊。在產(chǎn)品開發(fā)中,TPU與其他塑料(如PC或ABS)的良好粘附性是一個(gè)主要優(yōu)勢。
SABIC
高純度SD1100P二酐產(chǎn)品助力提升5G設(shè)備速率
SABIC適用于聚酰亞胺(PI)薄膜配方的創(chuàng)新型高純度SD1100P特種二酐粉末,進(jìn)一步推動(dòng)5G印刷電路板(PCBs)、透明顯示器以及其他柔性電子應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。這款4,4’-雙酚A型二醚二酐 (BPADA)粉末能夠幫助客戶設(shè)計(jì)高分子量PI配方,從而改善熱性能與機(jī)械性能之間的平衡。與目前市場上供應(yīng)的其他二酐產(chǎn)品相比,SABIC的SD1100P 雙酚A型二醚二酐粉末可以提供多種性能優(yōu)勢,其中包括更低的介電常數(shù)與損耗因子、更低的吸水量以及更強(qiáng)的金屬附著力。 這款粉末產(chǎn)品可提升可加工性,幫助PI生產(chǎn)商進(jìn)一步提升薄膜的性能表現(xiàn),使其更好地適用于環(huán)境苛刻的5G應(yīng)用領(lǐng)域。
5G是第四代工業(yè)革命的助推器,在“新基建”的政策驅(qū)動(dòng)下,5G建設(shè)已進(jìn)入了規(guī)?;渴鹋c應(yīng)用創(chuàng)新落地的進(jìn)程中。關(guān)鍵材料和技術(shù)是5G時(shí)代爭奪戰(zhàn)的核心,如何生產(chǎn)出性能獨(dú)特且質(zhì)量優(yōu)異的材料以符合5G建設(shè)的需求,成為化工及新材料企業(yè)的重點(diǎn)關(guān)注。
原標(biāo)題:5G時(shí)代:高性能優(yōu)質(zhì)材料爭奪戰(zhàn)
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