據(jù)國際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)消息，近日中國科學(xué)院研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外(DUV)激光，能發(fā)射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長(zhǎng)一致，能將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至3nm。值得注意的是，該波長(zhǎng)目前被用于半導(dǎo)體曝光技術(shù)！
中國科學(xué)院成功的研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)是中國在高端光學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域的一項(xiàng)重要突破，具有重要的科學(xué)意義和產(chǎn)業(yè)價(jià)值。以下是對(duì)這一進(jìn)展的詳細(xì)分析：
一、技術(shù)背景與核心突破
?DUV光源的定義：深紫外光(DUV)波長(zhǎng)范圍通常在100-200納米，傳統(tǒng)DUV光源多依賴氣體放電燈(如準(zhǔn)分子激光器)，但存在體積大、能耗高、穩(wěn)定性差等缺陷。
?全固態(tài)化的優(yōu)勢(shì)：中國科學(xué)院研發(fā)的全固態(tài)DUV光源采用固態(tài)激光晶體(如非線性光學(xué)晶體)結(jié)合倍頻技術(shù)，將紅外激光轉(zhuǎn)換為紫外光。相比傳統(tǒng)光源，全固態(tài)光源具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)、可控性好等特點(diǎn)，更適合工業(yè)化和精密應(yīng)用。
?二、技術(shù)難點(diǎn)與創(chuàng)新點(diǎn)
與目前主流的DUV光刻機(jī)采用的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光技術(shù)相比，中國科學(xué)院的全固態(tài)DUV激光技術(shù)具有明顯優(yōu)勢(shì)。
?材料突破：研發(fā)團(tuán)隊(duì)可能攻克了高損傷閾值、高非線性轉(zhuǎn)換效率的激光晶體材料(如KBBF、CLBO等)，解決了DUV波段倍頻過程中的光學(xué)損耗和熱管理問題。
?系統(tǒng)集成：通過優(yōu)化諧振腔設(shè)計(jì)和激光脈沖控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高功率、窄線寬的DUV輸出，滿足精密光刻或科研需求。
?國產(chǎn)化替代：此前國內(nèi)DUV光源依賴進(jìn)口(如日本Gigaphoton或美國Coherent)，全固態(tài)技術(shù)的突破為國產(chǎn)光刻機(jī)核心部件提供了自主可控的解決方案。
?三、應(yīng)用領(lǐng)域與產(chǎn)業(yè)意義
?半導(dǎo)體光刻：DUV光刻是制造28nm及以上制程芯片的關(guān)鍵設(shè)備(如ASML的DUV光刻機(jī))。全固態(tài)光源的研發(fā)雖不等同于EUV(極紫外)光刻突破，但可為國內(nèi)成熟制程芯片生產(chǎn)提供穩(wěn)定光源，緩解供應(yīng)鏈“卡脖子”問題。
?其他領(lǐng)域：
?殺菌消毒：DUV波段對(duì)微生物DNA/RNA有強(qiáng)破壞作用，可應(yīng)用于醫(yī)療或水處理；
?激光加工：用于精密微納加工(如MEMS器件、光伏電池)；
?科研儀器：支撐前沿物理實(shí)驗(yàn)或新材料研發(fā)。
四、對(duì)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略價(jià)值
?突破封鎖：在ASML無法對(duì)華出口EUV光刻機(jī)、美國限制DUV設(shè)備的情況下，全固態(tài)DUV光源技術(shù)為國內(nèi)光刻機(jī)研發(fā)提供了關(guān)鍵技術(shù)支持，助力實(shí)現(xiàn)“去美化”供應(yīng)鏈。
?產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：該技術(shù)與國內(nèi)激光晶體、光學(xué)鍍膜、精密加工等產(chǎn)業(yè)形成聯(lián)動(dòng)，推動(dòng)國產(chǎn)高端裝備自主化進(jìn)程。
?五、挑戰(zhàn)與未來展望
?技術(shù)迭代：需進(jìn)一步提升光源功率和穩(wěn)定性，以滿足更先進(jìn)制程(如7nm以下)的需求。
?配套生態(tài)：光刻機(jī)是系統(tǒng)工程，需整合光源、物鏡、
控制系統(tǒng)等核心技術(shù)，中國科學(xué)院與上海微電子等企業(yè)的協(xié)同至關(guān)重要。
?國際競(jìng)爭(zhēng)：日本、美國在DUV光源領(lǐng)域仍有技術(shù)積累，需加快產(chǎn)業(yè)化落地以搶占市場(chǎng)。
六、?總結(jié)
中國科學(xué)院全固態(tài)DUV光源技術(shù)的突破，標(biāo)志著中國在高端光學(xué)器件領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，短期內(nèi)可支撐成熟制程芯片制造，長(zhǎng)期則為EUV光源研發(fā)積累經(jīng)驗(yàn)。
這一成果不僅為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了新的可能性，與此同時(shí)還增強(qiáng)了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的安全性，也為全球光電子技術(shù)發(fā)展提供了新思路。未來需持續(xù)投入研發(fā)，加速技術(shù)轉(zhuǎn)化，推動(dòng)國產(chǎn)光刻機(jī)從“可用”向“好用”邁進(jìn)。
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