國產(chǎn)光刻機(jī)65nm節(jié)點有望突破！5~10年內(nèi)研發(fā)重點在哪？

2024-10-11 14:22:42來源：智能制造網(wǎng)整理閱讀量：80 評論

導(dǎo)讀：目前國產(chǎn)化率不足3%，核心原因主要在于零組件供應(yīng)與整機(jī)技術(shù)與海外差距較大。不過，近期也傳出技術(shù)突破的好消息！

　　2024年10月9日消息，阿斯麥(ASML)相關(guān)負(fù)責(zé)人近日公開表示，英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成兩臺High NA EUV光刻機(jī)(單臺設(shè)備的售價約為3.5億美元)的安裝。

　　據(jù)悉，High NA EUV光刻機(jī)所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運行，并且用于High NA EUV光刻機(jī)的光刻掩模檢測工作也已經(jīng)按計劃開始進(jìn)行。

　　光刻機(jī)被譽為集成電路產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”，是制造手機(jī)、電腦等電子芯片的關(guān)鍵機(jī)器設(shè)備。阿斯麥(ASML)作為光刻機(jī)領(lǐng)域龍頭企業(yè)，幾乎壟斷了目前全球光刻機(jī)的市場份額，其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展中有著重要地位。

　　此外，還有Nikon、Canon，同樣也是全球光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵性企業(yè)，與阿斯麥(ASML)一起占據(jù)著絕大部分的市場份額。

　　那，國產(chǎn)光刻機(jī)發(fā)展如何呢？

　　目前國產(chǎn)化率不足3%，核心原因主要在于零組件供應(yīng)與整機(jī)技術(shù)與海外差距較大。不過，近期也傳出技術(shù)突破的好消息！

　　2024年9月，工業(yè)和信息化部印發(fā)《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》。在電子專用設(shè)備集成電路生產(chǎn)裝備方面，氟化氪光刻機(jī)、氟化氬光刻機(jī)位列其中。

　　氟化氪光刻機(jī)核心技術(shù)指標(biāo)：

　　晶圓直徑：300mm；

　　照明波長：248nm；

　　分辨率≤110nm；

　　套刻≤25nm；

　　氟化氬光刻機(jī)核心技術(shù)指標(biāo)：

　　晶圓直徑：300mm；

　　照明波長：193nm；

　　分辨率≤65nm；

　　套刻≤8nm；

　　有業(yè)內(nèi)人士表示，國產(chǎn)氟化氬光刻機(jī)(套刻≤25nm)的數(shù)據(jù)與阿斯麥(ASML)旗下TWINSCAN XT：1460K最為接近。

　　目前光刻機(jī)可分為直寫光刻機(jī)與掩膜光刻機(jī)，主要有i-Iine(汞線)、KrF(氟化氪)、ArF(氟化氬)、ArFi(浸潤式氟化氬)、EUV(極紫外)五大類。

　　9月10日，上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司(簡稱：上海微電子)公開了一項名為“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備”的發(fā)明專利。該專利的申請日期為2023年3月9日，涵蓋了極紫外輻射發(fā)生裝置及其在光刻設(shè)備中的應(yīng)用。

　　上海微電子的專利發(fā)明旨在提供一種極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備，用于高效且簡便地收集帶電粒子以提高收集器鏡的使用壽命。

　　智能制造網(wǎng)了解到，極紫外光刻技術(shù)(EUV lithography)是一種使用波長為13.5納米的極紫外光作為光源的下一代光刻技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中，是面向7nm及以下節(jié)點的主流光刻技術(shù)。

　　東海證券認(rèn)為，目前國產(chǎn)光刻機(jī)整機(jī)技術(shù)與海外差距較大，5~10年內(nèi)90nm、28nm光刻機(jī)的研發(fā)量產(chǎn)較為關(guān)鍵。智能制造網(wǎng)堅信，只要不斷提高技術(shù)研發(fā)，相信我國也會很快研發(fā)出浸潤式光刻機(jī)，甚至是EUV光刻機(jī)！

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