- 2024-10-18 08:30:20 18
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政策解讀 │ 《廣州市關(guān)于聚焦特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》
導(dǎo)讀:為全面落實(shí)國家、省、市相關(guān)工作部署,積極搶抓集成電路發(fā)展機(jī)遇,聚焦特色工藝半導(dǎo)體,錯(cuò)位協(xié)同促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新、規(guī)模發(fā)展,助力廣州打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”核心承載區(qū),由市工業(yè)和信息化局牽頭制定了《廣州市關(guān)于聚焦特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》。
一、起草背景
2020年國務(wù)院印發(fā)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》。2021年廣東省出臺《廣東省加快先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目投資建設(shè)的若干政策措施》和《廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動計(jì)劃(2021-2025年)》。2022年廣州市提出“堅(jiān)持產(chǎn)業(yè)第一、制造業(yè)立市”,并印發(fā)《廣州市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計(jì)劃(2022-2024年)》。為全面落實(shí)國家、省、市相關(guān)工作部署,積極搶抓集成電路發(fā)展機(jī)遇,聚焦特色工藝半導(dǎo)體,錯(cuò)位協(xié)同促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新、規(guī)模發(fā)展,助力廣州打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”核心承載區(qū),由市工業(yè)和信息化局牽頭制定了《廣州市關(guān)于聚焦特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》。
二、主要內(nèi)容
《若干措施》從提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力、加快產(chǎn)業(yè)生態(tài)培育、推進(jìn)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用推廣、強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)服務(wù)支撐四個(gè)方面提出具體政策措施,適用范圍覆蓋我市從事設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試、驗(yàn)證、材料、裝備,寬禁帶半導(dǎo)體器件制造、模塊、外延片以及智能傳感器等領(lǐng)域研發(fā)、生產(chǎn)、運(yùn)營、服務(wù)的各類企事業(yè)單位和組織。
(一)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力
一是鼓勵有關(guān)單位承擔(dān)國家部委開展的模擬芯片、智能傳感器、寬禁帶半導(dǎo)體等特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域重大項(xiàng)目,根據(jù)國家配套要求以及國家實(shí)際撥付資金情況,我市給予相應(yīng)資金配套,鼓勵各區(qū)按照不低于市級配套金額給予相應(yīng)支持。
二是自主解決“卡脖子”問題,通過競爭擇優(yōu)、“揭榜掛帥”、部省市聯(lián)動或市場化等方式,大力支持特色工藝半導(dǎo)體重大科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。
(二)加快產(chǎn)業(yè)生態(tài)培育
一是支持重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè),對“十四五”期間我市總投資10億元以上的特色工藝半導(dǎo)體制造、封測、裝備、材料類項(xiàng)目,在省級對其新增實(shí)際固定資產(chǎn)投資額不超過2%比例普惠性投資獎勵的基礎(chǔ)上,市級按照省級普惠性投資獎勵資金的1:1配套給予支持;符合條件的特色工藝半導(dǎo)體制造、封測、裝備、材料等技術(shù)改造項(xiàng)目,由市工業(yè)和信息化高質(zhì)量發(fā)展資金技術(shù)改造專題優(yōu)先給予支持,對設(shè)備更新項(xiàng)目按不超過新設(shè)備購置額的20%進(jìn)行獎勵,單個(gè)項(xiàng)目獎勵額最高不超過5000萬元。
二是加快優(yōu)質(zhì)設(shè)計(jì)企業(yè)引進(jìn)培育,對新開展從事集成電路設(shè)計(jì)并符合相關(guān)條件的企業(yè),給予最高不超過300萬元的獎勵。加強(qiáng)對企業(yè)產(chǎn)品首輪流片支持;對使用多項(xiàng)目晶圓(MPW)流片進(jìn)行研發(fā)或首次完成全掩膜(Full mask)工程流片的設(shè)計(jì)企業(yè),以及開展高端傳感器首輪流片的智能傳感器企業(yè),按照不高于流片費(fèi)用的50%給予補(bǔ)助,每家企業(yè)年度補(bǔ)助總額最高不超過500萬元。三是推進(jìn)高端材料及裝備環(huán)節(jié)布局,推薦納入國家、省、市首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄,對符合要求的產(chǎn)品,按不超過單臺(套)銷售價(jià)30%給予獎勵。
(三)推進(jìn)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用推廣
一是支持供需兩端協(xié)同聯(lián)動,對上年度采購符合要求的芯片、智能傳感器產(chǎn)品,且金額達(dá)1000萬元以上并用于終端產(chǎn)品的制造企業(yè),對本年度采購額增量部分給予不超過10%的產(chǎn)業(yè)聯(lián)動獎勵,單個(gè)企業(yè)每年最高不超過3000萬元。
二是鼓勵開展車規(guī)級認(rèn)證,對特色工藝半導(dǎo)體企業(yè)產(chǎn)品或產(chǎn)線通過相應(yīng)車規(guī)級認(rèn)證的,按照不高于實(shí)際認(rèn)證發(fā)生額的30%進(jìn)行補(bǔ)助。
(四)強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)服務(wù)支撐
一是激勵人才干事創(chuàng)業(yè),結(jié)合企業(yè)經(jīng)營規(guī)模、行業(yè)地位、人才集聚度及產(chǎn)品自主可控程度,建立我市集成電路重點(diǎn)企業(yè)名錄并設(shè)置補(bǔ)貼資金,給予重點(diǎn)企業(yè)一定的人才補(bǔ)助名額,對承擔(dān)關(guān)鍵或者重要崗位的專業(yè)技術(shù)人才、高級管理人才、生產(chǎn)部門骨干人才予以補(bǔ)貼。將集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈人才納入粵港澳大灣區(qū)個(gè)人所得稅優(yōu)惠范圍,對符合條件的境外人才個(gè)人所得稅按照政策予以補(bǔ)貼。
二是推進(jìn)公共平臺建設(shè),對新獲評國家、省建設(shè)扶持的平臺項(xiàng)目按規(guī)定給予相應(yīng)扶持,重點(diǎn)項(xiàng)目按照市政府決策的“一項(xiàng)目一議”政策給予支持。
三是加快專業(yè)園區(qū)建設(shè),建設(shè)一批高質(zhì)量高品質(zhì)專業(yè)特色工業(yè)園區(qū),支持符合條件的市場主體開展產(chǎn)業(yè)園區(qū)做地,推動項(xiàng)目早開工、早建設(shè)、早投產(chǎn)。
四是推動金融賦能產(chǎn)業(yè),鼓勵金融機(jī)構(gòu)、地方金融組織通過銀行信貸、融資租賃等方式支持項(xiàng)目建設(shè)和企業(yè)經(jīng)營;引導(dǎo)社會資本參與重大項(xiàng)目建設(shè)、企業(yè)兼并重組、上市企業(yè)培育、企業(yè)技術(shù)改造和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。
五是優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境,發(fā)揮好由市領(lǐng)導(dǎo)任組長的集成電路產(chǎn)業(yè)專班作用,完善重大項(xiàng)目建設(shè)推進(jìn)機(jī)制,擴(kuò)大高水平對外開放,支持舉辦集成電路制造年會、設(shè)計(jì)年會等具有影響力的重大活動。
關(guān)鍵詞詮釋
集成電路
集成電路(Integrated Circuit,IC)是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、電容器等無源元件,按照一定的電路互連,“集成”在半導(dǎo)體(如硅或砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物)晶片上,封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定功能的電路或系統(tǒng),通常稱為芯片,與光電子器件、分立器件和傳感器構(gòu)成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
模擬芯片
模擬芯片是指用來處理模擬信號的集成電路;而模擬信號是指用連續(xù)變化的物理量所表達(dá)的信息,如溫度、濕度、壓力、長度、電流、電壓等,它在一定的時(shí)間范圍內(nèi)可以有無限多個(gè)不同的取值。
智能傳感器
智能傳感器是指具有信息處理功能的傳感器(傳感器是一種檢測裝置,能感受到被測量的信息,并能將感受到的信息,按一定規(guī)律變換成電信號或其他所需形式的信息輸出);智能傳感器帶有微處理機(jī),具有采集、處理、交換信息的能力,是傳感器集成化與微處理機(jī)相結(jié)合的產(chǎn)物。
寬禁帶半導(dǎo)體材料
寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料(具有比硅寬得多的禁帶寬度),典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等,被稱為第三代半導(dǎo)體材料,在高溫、高壓、高頻具有廣闊應(yīng)用前景,是制造部分車規(guī)級芯片、工業(yè)控制芯片的理想材料。
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