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士蘭微榮獲“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”獎(jiǎng)

2024-01-04 14:11:30來(lái)源:士蘭微 閱讀量:81 評(píng)論

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導(dǎo)讀:士蘭微電子榮獲“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”獎(jiǎng)。

  日前,由行家信息科技、行家芯網(wǎng)科技主辦的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉辦。其中,士蘭微電子榮獲“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”獎(jiǎng)。
 
  SSM1R7PB12B3DTFM是士蘭微電子基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC MOS芯片技術(shù)所開發(fā)的六單元拓?fù)淠K,是士蘭微電子推出的新能源電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的主力產(chǎn)品之一,具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)等優(yōu)勢(shì),為嚴(yán)苛環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行提供更可靠的保障。
 
  該產(chǎn)品具有行業(yè)先進(jìn)的高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和高電流密度等技術(shù)指標(biāo),整體可靠性上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
 
  該產(chǎn)品從芯片上采用低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā),單芯片導(dǎo)通電阻達(dá)到甚至優(yōu)于國(guó)外同級(jí)別器件水平;封裝方面攻克納米銀燒結(jié)、銅線鍵合技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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