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單晶硅清洗用水設(shè)備-北京多晶硅清洗用水設(shè)備 超純水設(shè)備

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單晶硅清洗用水設(shè)備-北京多晶硅清洗用水設(shè)備  連續(xù)電除鹽(EDIElectro-de-ionization)技術(shù)是二十世紀(jì)八十年代以來逐漸興起的新技術(shù)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,EDI技術(shù)已經(jīng)

詳情介紹
 單晶硅清洗用水設(shè)備-北京多晶硅清洗用水設(shè)備

  連續(xù)電除鹽(EDIElectro-de-ionization)技術(shù)是二十世紀(jì)八十年代以來逐漸興起的新技術(shù)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,EDI技術(shù)已經(jīng)在電子、制藥和發(fā)電等行業(yè)被廣泛的應(yīng)用。超純水設(shè)備將離子交換樹脂充夾在陰/陽交換膜之間形成EDI單元,利用陰離子交換膜只允許陰離子透過,不允許陽離子透過,而陽離子交換膜只允許陽離子透過,不允許陰離子透過的特性,在直流電的推動(dòng)下,使淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進(jìn)入到濃水室而被從淡水中去除,從而得到超純水。

  超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn)

  1、連續(xù)運(yùn)行,產(chǎn)品水質(zhì)穩(wěn)定。

  2、無須用酸堿再生。

  3、不會(huì)因再生而停機(jī)。

  4、節(jié)省了反沖和清洗用水。

  5、以高產(chǎn)率產(chǎn)生超純水。

  6、無再生污水,不須污水處理設(shè)施。

  7、無須酸堿儲(chǔ)備和酸堿稀釋運(yùn)輸設(shè)施。

  8、減小車間建筑面積。

  9、使用安全可靠,避免工人接觸酸堿。

  10、減低運(yùn)行及維修成本。

  11、安裝簡(jiǎn)單、安裝費(fèi)用低廉。

  超純水設(shè)備進(jìn)水條件

  氧化劑:活性氯(Cl2)小于0.05ppm,建議檢測(cè)不出;臭氧(O3)小于0.02ppm,建議檢測(cè)不出。

  重金屬離子:小于0.01ppmFe、Mn、變價(jià)性金屬離子。

  硅:小于0.5ppm,反滲透RO產(chǎn)水典型范圍是50~150ppb。

  總CO2:小于5ppm,高于10ppm時(shí),產(chǎn)水品質(zhì)很大程度依賴于CO2水平和pH值。

  顆粒:建議直接采用反滲透RO產(chǎn)水,或經(jīng)1um濾芯過濾后的產(chǎn)水進(jìn)入EDI系統(tǒng)。

  水源:反滲透RO產(chǎn)水,電導(dǎo)率:1-20S/cm。電導(dǎo)率:2-10S/cm,導(dǎo)電率:50S(NaCl)。PH值:5.5~9.5(pH7.0至8.0之間EDI有電導(dǎo)率性能)。

  溫度:15~35℃,溫度在25℃。

  進(jìn)水壓力:0.20~0.4MPa,D1端壓力比C1端壓力高0.05~0.1MPa,模塊壓力將取決于流量和溫度。

  出水壓力:產(chǎn)水端(D2)壓力比濃水端(C2)壓力高0.05~0.1MPa。

  硬度:小于1.0ppm(在90%回收率時(shí)),以CaCO3計(jì)。

  有機(jī)物:TOC小于0.5ppm,建議檢測(cè)不出。

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