當(dāng)前位置:成都一科儀器設(shè)備有限公司>>實驗室常用設(shè)備>>箱式電阻爐>> MXQ1200-50箱式氣氛爐--上海微行
1200℃箱式氣氛爐 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品用途 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
適用于電子陶瓷與高溫結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)、玻璃的精密退火與微晶化、晶體的精密退火、陶瓷釉料制備、粉末冶金、納米材料的燒結(jié)、金屬零件淬火及一切需快速升溫工藝要求的熱處理,是科研單位、高等院校、工礦企業(yè)理想的實驗和生產(chǎn)設(shè). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品特點 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1200度真空氣氛爐殼體采用優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板雙層結(jié)構(gòu)*設(shè)計技術(shù),殼體顏色漆經(jīng)過高溫烘烤而成,經(jīng)久耐用,爐膛采用進(jìn)口高純氧化鋁多晶體纖維材料,高優(yōu)質(zhì)進(jìn)口電阻絲為加熱元件,雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng),能快速對溫控系統(tǒng)降溫;外殼采用整體密封,蓋板密封采用硅膠泥、爐門采用硅膠墊、并通有水冷系統(tǒng),氣體經(jīng)過流量計后由針型閥開關(guān)進(jìn)入膛,閥控配有進(jìn)氣閥、排氣閥、抽真空閥,可通氫氣、氬氣、氮氣、氧氣、一氧化碳、氨分解氣等氣體,該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。1200度真空氣氛爐適用于電子陶瓷與高溫結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)、玻璃的精密退火與微晶化、晶體的精密退火、陶瓷釉料制備、粉末冶金、納米材料的燒結(jié)、金屬零件淬火及一切做高溫工藝要求的氣氛熱處理、CVD實驗、真空退火等的前期實驗,還原氣氛、惰性氣氛、氫氮混合氣氛等多種類型,工件燒結(jié)不會產(chǎn)生氧化脫碳,該設(shè)備具有*的設(shè)計技術(shù),外形美觀,結(jié)構(gòu)合理,使用方便,是科研單位、高等院校、工礦企業(yè)理想的實驗和生產(chǎn)設(shè)備。1200度真空氣氛爐采用*技術(shù),自行研制開發(fā)的高性能高節(jié)能的新型電爐,產(chǎn)品具有*合理的結(jié)構(gòu),采用通用的陶瓷纖維板經(jīng)*工藝構(gòu)筑爐膛,并采用微電腦人工智能調(diào)節(jié)技術(shù),具有PID調(diào)節(jié)、模糊控制、自整定功能,30段程序編程,并可編制各種升溫、恒溫、降溫程序,控溫精度高;晶體模塊化可控硅控制、移相觸發(fā),保護(hù)裝置采用獨立超溫保護(hù)、過流、漏電、短路保護(hù)。綜合性能指標(biāo)較高,處于國內(nèi) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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