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薄膜及液體的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀器

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所在地北京市

更新時(shí)間:2022-05-19 07:40:02瀏覽次數(shù):6次

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介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007?主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗角的正切值及電容量。

QS37介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007

1.概  述                                                            

     介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007?主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測(cè)量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tgd)和電容量( Cx)以,其測(cè)量線路采用“正接法"即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類(lèi)絕緣油和絕緣材料的介損(tgd)及介電常數(shù)(ε)。

2.技術(shù)指標(biāo)

2.1  測(cè)量范圍及誤差

    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿(mǎn)足下列表中的技術(shù)指示要求。    

在Cn=100pF

R4=3183.2

即10K/π時(shí)

測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量范圍

測(cè)量誤差

電容量Cx

40pF--20000pF

±0.5%  Cx±2pF

介質(zhì)損耗tg

0~1

±1.5%tgx±0.0001

在Cn=100pF

R4=318.3

即1K/π時(shí)

測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量范圍

測(cè)量誤差

電容量Cx

4pF--2000pF

±0.5%  Cx±3pF

介質(zhì)損耗tg

0~0.1

±1.5%tgx±0.0001

2.2  電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。

    在下面的計(jì)算公式中,用戶(hù)可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   式中:U為測(cè)量電壓    伏特(V)

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                                     

Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量

皮法(pF)

Ig通用指另儀的電流5X10-10

安培(A)

Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500

歐姆

R4橋臂R4電阻值3183

歐姆

Cx被測(cè)試品電容值

皮法(pF)

2.3 電容量及介損顯示精度:    

電容量

±0.5%×tgδx±0.0001

介  損

±0.5%tgx±1×10-4

2.4 輔橋的技術(shù)特性:    

工作電壓

±12V,50Hz

輸入阻抗

1012

輸出阻抗

0.6

放大倍數(shù)

0.99

不失真跟蹤電壓

0~12V(有效值)

2.5 指另裝置的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

    二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db

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