低壓熔斷器觸頭性能測(cè)試臺(tái) 返回列表頁(yè)

本低壓熔斷器觸頭性能測(cè)試臺(tái)*標(biāo)準(zhǔn)IEC60269-1：2009、GB13539.1-2015（低壓熔斷器第1部分：基本要求） 標(biāo)準(zhǔn)中第8.10章節(jié)“觸頭不變壞驗(yàn)證”的試驗(yàn)要求，用于模擬熔斷器在嚴(yán)酷使用條件下，驗(yàn)證*運(yùn)行中不受擾動(dòng)的觸頭性能損壞情況。

主要技術(shù)參數(shù)：

1. 設(shè)備輸出電壓：0~690V；

2. 設(shè)備輸出電流：0~5000A；

3. 通電時(shí)間：1~9999s；

4. 斷電時(shí)間：1~9999s；

5. 試驗(yàn)樣品：3組；

6. 試驗(yàn)循環(huán)次數(shù)：1-800次可設(shè)置；

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設(shè)備滿足標(biāo)準(zhǔn)：

低壓熔斷器觸頭性能測(cè)試臺(tái)*標(biāo)準(zhǔn)IEC60269-1：2009、GB13539.1-2015（低壓熔斷器第1部分：基本要求） 標(biāo)準(zhǔn)中第8.10章節(jié)“觸頭不變壞驗(yàn)證”的試驗(yàn)要求。