北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

絕緣塑料介電常數(shù)測(cè)試儀

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)GDAT-A

品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

更新時(shí)間:2022-05-01 17:20:02瀏覽次數(shù):23次

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絕緣塑料介電常數(shù)測(cè)試儀

絕緣塑料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀振蕩頻率

a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;

b.頻率分檔:

25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,

1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。

c.頻率誤差:2×10±1個(gè)字。

Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~999。

 

1、液體介電常數(shù)測(cè)定儀

2、低頻介電常數(shù)測(cè)試儀

3、高頻介電常數(shù)測(cè)試儀

4、塑料介電常數(shù)測(cè)試儀

5、聚乙烯介電常數(shù)測(cè)定儀

6、硅橡膠介電常數(shù)測(cè)定儀

7、橡膠介電常數(shù)測(cè)定儀

8、材料介電常數(shù)測(cè)定儀

9、薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀

10、聚酯薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀

11、聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

12、介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

 

絕緣塑料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)特性:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

 

 

 

絕緣塑料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:

按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。

 

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

 

 

 

絕緣塑料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

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