Q150R S ，真空鍍膜儀價(jià)格

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Q150R S ，真空鍍膜儀價(jià)格 技術(shù)指標(biāo)：  

金 – 常規(guī)SEM應(yīng)用時(shí)使用zui普遍的靶材；濺射速度快且導(dǎo)電效果。 

銀 – 高導(dǎo)電性且具有高的二次電子發(fā)射率。濺射上去的銀易于去除，可使樣品成像后還原到其原來狀態(tài)。 

鉑 – 在機(jī)械泵抽真空的濺射鍍膜系統(tǒng)中它的顆粒尺寸zui小，且具有優(yōu)良的二次電子發(fā)射能力。 

鈀 – 用于x射線能譜分析非常理想，因其譜線分布沖突相對較低。 

金/鈀合金（80:20%） - 通過限制沉積期間金顆粒的團(tuán)聚，鈀可提高zui終分辨率。 

碳絲蒸鍍 – 碳絲蒸鍍過程的閃蒸特性及快速更換碳絲的能力，使其處理樣品速度非常快。 

碳棒蒸發(fā) – 用于需要減慢速度但可控性更好的蒸發(fā)過程，可制備更趨向無定形的碳膜

 概述：           

功能強(qiáng)大、可重復(fù)鍍膜及高可靠性：可預(yù)編程的鍍膜參數(shù)及方案能確保*且可重復(fù)的結(jié)果。需要沉積厚膜時(shí)，本系統(tǒng)提供長達(dá)60分鐘且無需破真空的濺射時(shí)間。設(shè)計(jì)*的碳蒸鍍插入頭操作簡單,具有對蒸發(fā)電流參數(shù)的*控制，確保了SEM應(yīng)用中*的和可重復(fù)的碳沉積?？蛇x的膜厚監(jiān)控附件用于可重復(fù)的膜厚控制。 

適配性強(qiáng)且用途廣：濺射、碳蒸鍍、輝光放電插入頭及多種可選件，使Q150R對于多用戶實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用非常理想?？蔀R射一系列不氧化金屬，如金、銀、鉑和鈀。碳絲蒸鍍插入頭處理樣品速度非常快。也可選用碳棒蒸發(fā)。還可應(yīng)用于金屬薄膜研究及電極的應(yīng)用。  

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