CHI900D/920D掃描電化學(xué)顯微鏡
電化學(xué)掃描顯微鏡(SECM)由University of Taxes at Austin化學(xué)系的Allen J. Bard教授發(fā)明于1989年。CH Instruments和Allen J. Bard教授合作實現(xiàn)了電化學(xué)掃描顯微鏡的儀器商品化，從而使得這一強有力的研究方法走進(jìn)了更多的實驗室.掃描電化學(xué)顯微鏡與掃描隧道顯微鏡(STM)的工作原理類似。但SECM測量的不是隧道電流，而是由化學(xué)物質(zhì)氧化或還原給出的電化學(xué)電流。盡管SECM的分辨率較STM低，但SECM的樣品可以是導(dǎo)體，絕緣體或半導(dǎo)體，而STM只限于導(dǎo)體表面的測量。SECM除了能給出樣品表面的地形地貌外，還能提供豐富的化學(xué)信息。其可觀察表面的范圍也大得多.
| 硬件參數(shù)指標(biāo) 高分辨的三維定位裝置： 步進(jìn)電機(jī)XYZ分辨率：8nm (CHI900D) 步進(jìn)電機(jī)加閉環(huán)壓電晶體XYZ分辨率：1.6nm (CHI920D) XYZ移動距離：50 mm 恒電位儀/雙恒電位儀 零阻電流計 2，3，4電極結(jié)構(gòu) 浮動地線或?qū)嵉?o:p> 兩個通道Z大電位范圍： ±10 V Z大電流：±250 mA 連續(xù)（兩個通道電流之和）, ±350 mA 峰值 槽壓：±13 V 恒電位儀上升時間： 小于 1 ms, 通常 0.8 ms 恒電位儀帶寬（-3分貝）：1 MHz 所加電位范圍：±10 mV, ±50 mV, ±100 mV, ±650 mV, ±3.276 V, ±6.553 V, ±10 V 所加電位分辨：電位范圍的0.0015% 所加電位準(zhǔn)確度： ±1 mV,滿量程的0.01% 所加電位噪聲：< 10 mV 均方根植 測量電流范圍：±10 pA 至±0.25 A， 12量程 測量電流分辨：電流量程的0.0015%，Z低 0.3 fA 電流測量準(zhǔn)確度：電流靈敏度大于等于1e-6 A/V時為0.2%，其他量程1% 輸入偏置電流：< 10 pA 恒電流儀 恒電流范圍： 3 nA -250 mA 加電流準(zhǔn)確度：如果電流大于 3e-7A時為0.2%，其他范圍為1%，±20 pA 所加電流分辨率：電流范圍的0.03% 測量電流范圍： ±0.025 V,±0.1 V, ±0.25 V, ±1 V, ±2.5 V, ±10 V 測量電位分辨率：測量范圍的0.0015% Electrometer: 電位計 參比電極輸入阻抗：1e12 歐姆 參比電極輸入帶寬： 10 MHz 參比電極輸入偏置電流：<= 10 pA @ 25°C 波形發(fā)生和數(shù)據(jù)獲得系統(tǒng) 快速信號發(fā)生更新速率：10 MHz， 16位分辨 快速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：16位分辨，雙通道同步采樣，采樣速率每秒1,000,000 點 外部信號記錄通道Z高采樣速率1M Hz 其他特點 自動或手動iR降補償 電流測量偏置：滿量程，16位分辨，0.003% 準(zhǔn)確度 電位測量偏置：±10V，16位分辨，0.003% 準(zhǔn)確度 外部電位輸入 電位和電流的模擬輸出 可控電位濾波器的截止頻率： 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz 可控信號濾波器的截止頻率： 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz 旋轉(zhuǎn)電極控制電壓輸出：0-10V 對用于 0-10000 rpm的轉(zhuǎn)速16位分辨，0.003% 準(zhǔn)確度，需要某些旋轉(zhuǎn)電極裝置才能工作 通過宏命令可以控制數(shù)字輸入輸出線 內(nèi)閃存儲器可迅速更新程序 串行口或USB口數(shù)據(jù)通訊 電解池控制：通氮,攪拌,敲擊（需要teshu電解池系統(tǒng)） CV數(shù)字模擬器和擬合器。用戶定義反應(yīng)機(jī)理 交流阻抗模擬器和擬合器 探頭逼近曲線的模擬和擬合 Z大數(shù)據(jù)長度：256,000-16,384,000 點可選擇 儀器尺寸： 37 cm (寬) ´ 23 cm (深) ´ 12 cm (高) 儀器重量: 7 kg | | 實驗技術(shù) 掃描探頭技術(shù)： 表面成象處理 (SPC) 探頭掃描曲線 (PSC，X，Y，Z方向) 探頭逼近曲線 (PAC) 掃描電化學(xué)顯微鏡 (SECM) PSC和SECM允許電流，電位，常電流，阻抗檢測 電位掃描技術(shù): 循環(huán)伏安法 (CV) 線性掃描伏安法 (LSV) TAFEL圖 (TAFEL) 電位階躍和脈沖技術(shù): 計時電流法 (CA) 計時電量法 (CC) 階梯波伏安法 (SCV) 差分脈沖伏安法 (DPV) 常規(guī)脈沖伏安法 (NPV) 差分常規(guī)脈沖伏安法 (DNPV) 方波伏安法 (SWV) 交流技術(shù): 交流伏安法 (ACV) 二次諧波交流伏安法 (SHACV) 傅里葉變換交流伏安法 (FTACV) 交流阻抗 (IMP) 交流阻抗-電位 (IMPE) 交流阻抗-時間 (IMPT) 恒電流技術(shù): 計時電位法 (CP) 電流掃描計時電位法 (CPCR) 多電流階躍 (ISTEP) 電位溶出分析 (PSA) 其它電化學(xué)測量技術(shù): 時間-電流曲線 (i-t) 差分脈沖安培法 (DPA) 雙差分脈沖安培法 (DDPA) 三脈沖安培法 (TPA) 積分脈沖電流檢測 (IPAD) 掃描-階躍混和方法 (SSF) 多電位階躍 (STEP) 流體力學(xué)調(diào)制伏安法 (HMV) 控制電位電解庫侖法 (BE) 電化學(xué)噪聲測量 (ECN) 各種溶出伏安法 開路電位-時間曲線 (OCPT) 實驗參數(shù) CV和LSV掃描速度： 0.000001V/s 至 10,000 V/s，雙通道同步掃描及采樣至10,000 V/s 掃描時的電位增量：0.1 mV （當(dāng)掃速為 1,000 V/s時） CA和CC的脈沖寬度： 0.0001 至 1000 sec CA的Z小采樣間隔： 1 ms， 雙通道同步 CC的Z小采樣間隔： 1 ms CC模擬積分器 DPV和NPV的脈沖寬度：0.001 至 10 sec SWV頻率： 1 至 100 kHz i-t 的Z小采樣間隔： 1 ms， 雙通道同步 ACV頻率范圍：0.1 至 10 kHz SHACV頻率范圍：0.1 至 5 kHz FTACV頻率范圍：0.1 至 50Hz，可同時獲取基波，二次諧波，三次諧波，四次諧波，五次諧波，六次諧波的ACV數(shù)據(jù) 交流阻抗： 0.00001 至 1 MHz 交流阻抗波形幅度： 0.00001 V 至 0.7 V 均方根值 |
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