絕緣材質(zhì)介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀供應(yīng)滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):
GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
絕緣材質(zhì)介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀供應(yīng)工作特性
1. 平板電容器
極片尺寸:φ25.4mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm
2. 園筒電容器
電容量線(xiàn)性:0.33pF / mm±0.05 pF
長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm
3. 夾具插頭間距:25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時(shí))
工作原理
本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品,園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線(xiàn)性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí),由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
使用方法
1. 被測(cè)樣品的準(zhǔn)備
被測(cè)樣品要求為園形,直徑25.4~27mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場(chǎng)引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1~5mm之間,如太薄或太厚則測(cè)試精度就會(huì)下降,樣品要盡可能平直。
下面*一種能提高測(cè)試精確性的方法:準(zhǔn)備二片厚0.05mm的園形錫膜,直徑和平板電容器極片*,錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林,它起粘著作用,又能排除接觸面之間殘余空氣,把錫膜再粘在平板電容器兩個(gè)極片上,粘好后,極片呈鏡面狀為佳,然后放上被測(cè)樣品。
2. 測(cè)試順序
先要詳細(xì)了解配用儀器的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的儀器主調(diào)諧電容置于zui小電容量,微調(diào)電容置于-3pF。
b. 把本夾具測(cè)試裝置插到儀器測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上,即插入到儀器上方接線(xiàn)銅柱的右邊兩個(gè)圓柱內(nèi)。
c. 配上相適應(yīng)的高Q值電感線(xiàn)圈,選擇電感沒(méi)有特別的方法,只有試或憑經(jīng)驗(yàn)來(lái)選擇合適的那個(gè),一般選擇使高頻儀器顯示Q值z(mì)ui大的電感zui為合適。
注:以上步驟是為了使高頻儀器工作起來(lái)(儀器是LC諧振工作原理,所以要選擇合適的電感才能使儀器諧振)
d. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,使二極片相接為止,讀取刻度值記為DO。
e. 再松開(kāi)二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過(guò)緊或過(guò)松),這時(shí)能讀取新的刻度值,記為D1,這時(shí)樣品厚度D2= D1-D0。
注:以上d和e兩步是測(cè)出被測(cè)樣片的厚度,方便后面計(jì)算介電常數(shù)時(shí)用。
f. 把園筒電容器置于7mm處(該值不是的,我們一般在測(cè)的時(shí)候放到7mm處就可以測(cè)了,不過(guò)有的時(shí)候在做到h步0驟時(shí)順時(shí)針旋轉(zhuǎn)完刻度了Q值還沒(méi)有達(dá)到一半,這時(shí)就要適當(dāng)?shù)陌?mm刻度調(diào)整到9mm或更大了)。
g. 改變配合儀器頻率,使之諧振,讀得Q值。(如果測(cè)試材料樣片有“要求的測(cè)試頻率”,那么就先把頻率定位到該頻率,然后再調(diào)節(jié)儀器的主調(diào)電容,使儀器諧振(即儀器的Q值顯示為zui大);如果不知道在頻率下測(cè)試的話(huà),我們一般把頻率放在1MHz下來(lái)調(diào)試,然后再調(diào)節(jié)主調(diào)電容使儀器工作)。
h. 先順時(shí)針?lè)较?,后逆時(shí)針?lè)较颍{(diào)節(jié)園筒電容器,讀取當(dāng)儀器指示Q值為原值的一半時(shí)測(cè)微桿上二個(gè)刻度值,取這二個(gè)值之差,記為M1。(先記下園筒電容在7mm時(shí)儀器諧振時(shí)的zui大Q值,即d步驟測(cè)得的Q值;然后調(diào)節(jié)園筒電容器,看儀器的Q值顯示為原來(lái)的一半時(shí),讀取園筒電容器上邊的刻度為多少,要順時(shí)針和逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)兩次取兩個(gè)刻度值;如果園筒電容器順時(shí)針轉(zhuǎn)到0刻度時(shí)Q值還沒(méi)有到一半,那么就要返回到第f步驟把園筒電容器置于9mm處或更大,重新操作)。
i. 再調(diào)節(jié)園筒電容器,使儀器再次諧振(即把園筒電容器調(diào)回到7mm處)。
j. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)儀器又失諧,調(diào)節(jié)平
板電容器,使再諧振,讀取測(cè)微桿上的讀值D3,其變化值為
D4= D3-D0。
k. 和h款操作一樣,得到新的二個(gè)值之差,記為M2。
3. 計(jì)算測(cè)試結(jié)果
被測(cè)樣品的介電常數(shù):
Σ=D2 / D4
被測(cè)樣品的損耗角正切值:
tgδ=K(M1-M2 )/ 15.5
式中:K為園筒電容器線(xiàn)性變化率,一般為0.33。
4. 其他應(yīng)用使用方法
使用本測(cè)試裝置和儀器配用,對(duì)絕緣材料以及其他高阻性能的薄材,列如:優(yōu)質(zhì)紙張、優(yōu)質(zhì)木材、粉壓片料等,進(jìn)行相對(duì)測(cè)量,其測(cè)試方法就非常簡(jiǎn)便、實(shí)用,采取被測(cè)樣品和標(biāo)準(zhǔn)樣品相比較方法,就能靈敏地區(qū)別二者之間的輕微差別,例如含水量、配用原料變動(dòng)等等。
測(cè)試時(shí)先把標(biāo)準(zhǔn)樣品放入平板電容器,調(diào)節(jié)儀器頻率,諧振后讀得Q值,再換上被測(cè)樣品,調(diào)節(jié)園筒電位器,再諧振,看Q值變化,如Q值變化很小,說(shuō)明標(biāo)準(zhǔn)樣品和被測(cè)樣品高頻損耗值*,反之說(shuō)明二者性能有區(qū)別,如園筒電容器調(diào)節(jié)不能再諧振,通過(guò)調(diào)節(jié)儀器頻率才能諧振,且頻率變化較大,說(shuō)明被測(cè)樣品和標(biāo)準(zhǔn)樣品的配用原材料相差較大。
維修方法
本測(cè)試裝置是由精密機(jī)械構(gòu)件組成的測(cè)微設(shè)備,所以在使用和
保存時(shí)要避免振動(dòng)和碰撞,要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存,不能自行拆裝,否則其工作性能就不能保證,如測(cè)試夾具受到碰撞,或者作為定期檢查,要檢測(cè)以下幾個(gè)指標(biāo):
1. 平板電容器二極片平行度不超過(guò)0.02mm。
2. 園筒電容器的軸和軸同心度誤差不超過(guò)0.1mm。
3. 保證二個(gè)測(cè)微桿0.01mm分辨率。
4. 用精密電容測(cè)量?jī)x(±0.01pF分辨率)測(cè)量園筒電容器,電容呈線(xiàn)性率,從0~20mm,每隔1mm測(cè)試一點(diǎn),要求符合工作特性要求。
關(guān)于介電常數(shù)測(cè)試儀的其他附加介紹
測(cè)試介電常數(shù)的意義:
介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù),以字母ε表示,單位為法/米 . 它是一個(gè)在電的位移和電場(chǎng)強(qiáng)度之間存在的比例常量。這一個(gè)常量在自由的空間(一個(gè)真空)中是8.85×10的-12次方法拉第/米(F/m)。在其它的材料中,介電系數(shù)可能差別很大,經(jīng)常遠(yuǎn)大于真空中的數(shù)值,其符號(hào)是eo。 在工程應(yīng)用中,介電系數(shù)時(shí)常在以相對(duì)介電系數(shù)的形式被表達(dá),而不是值。如果eo表現(xiàn)自由空間(是,8.85×10的-12次方F/m)的介電系數(shù),而且e是在材料中的介電系數(shù),則這個(gè)材料的相對(duì)介電系數(shù)(也叫介電常數(shù))由下式給出: ε1=ε / εo=ε×1.13×10的11次方 很多不同的物質(zhì)的介電常數(shù)超過(guò)1。這些物質(zhì)通常被稱(chēng)為絕緣體材料,或是絕緣體。普遍使用的絕緣體包括玻璃,紙,云母,各種不同的陶瓷,聚乙烯和特定的金屬氧化物。絕緣體被用于交流電.泡沫塑料用聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚氨基甲酸酯等樹(shù)脂制成 聚苯乙烯2.4~2.6 ,介電常數(shù)有相對(duì)介電常數(shù)和有效介電常數(shù)之分,平時(shí)我們說(shuō)的介電常數(shù)就是相對(duì)介電常數(shù),硅的相對(duì)介電常數(shù)是11.9 .(AC),聲音電波(AF)和無(wú)線(xiàn)電電波(射頻)的電容器和輸電線(xiàn)路。 一個(gè)電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后電容變大ε倍。
介質(zhì)損失角正切值(tgδ)的物理意義。
介質(zhì)損失角正切值(tgδ)表示電介質(zhì)在交流電壓下的有功損耗和無(wú)功損耗之比,值越大,介質(zhì)損耗越大,它反映了電介質(zhì)在交流電壓下的損耗性能。
介質(zhì)損耗角正切
摘要:電力系統(tǒng)中檢測(cè)高壓設(shè)備的運(yùn)行可靠性和發(fā)現(xiàn)電氣絕緣方面缺陷,電介質(zhì)損耗角的測(cè)量*。電介質(zhì)損耗角是一項(xiàng)反映高壓電氣設(shè)備絕緣性能的重要指標(biāo)。本文介紹了介質(zhì)損耗角的基本概念和其意義,簡(jiǎn)單分析了介質(zhì)損耗角檢測(cè)的方法。
關(guān)鍵詞:電介質(zhì)損耗角;方法;測(cè)量;因素
一.引言
1.電介質(zhì)損耗角研究的意義
電氣設(shè)備是組成電力系統(tǒng)的基本元件,是保證供電可靠性的基礎(chǔ)。無(wú)論是大型關(guān)鍵設(shè)備如發(fā)電機(jī)、變壓器,還是小型設(shè)備如電力電容器、絕緣子等,一旦發(fā)生失效,必將引起局部甚至全部地區(qū)的停電。而導(dǎo)致設(shè)備失效的主要原因是其絕緣性能的劣化。絕緣劣化有很多原因,不僅電應(yīng)力可引起絕緣劣化,導(dǎo)致絕緣故障,而且機(jī)械力或熱得作用,或者和電場(chǎng)的共同作用,zui終也會(huì)發(fā)展為絕緣性故障。鑒于絕緣故障在電力故障中所占的比重及其后果的嚴(yán)重性,電力運(yùn)行部門(mén)歷來(lái)十分重視電氣設(shè)備的絕緣監(jiān)督。
電介質(zhì)的電氣特性,主要表現(xiàn)為它們?cè)陔妶?chǎng)作用下的導(dǎo)電性能、介電性能和電氣強(qiáng)度,它們分別以四個(gè)主要參數(shù),即電導(dǎo)率(或絕緣電阻率)、介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切和擊穿場(chǎng)強(qiáng)來(lái)表示。電介質(zhì)損耗角是一項(xiàng)反映高壓電氣設(shè)備絕緣性能的重要指標(biāo)。電介質(zhì)損耗角的變化可反映受潮、劣化變質(zhì)或絕緣中氣體放電等絕緣缺陷,因此測(cè)量介質(zhì)損耗角是研究絕緣老化特征及在線(xiàn)監(jiān)視絕緣狀況的一項(xiàng)重要內(nèi)容。而在實(shí)際測(cè)量中,由于電介質(zhì)損耗很小,所以需要測(cè)量系統(tǒng)有較高的測(cè)量精度,這樣才能正確及時(shí)地反映電介質(zhì)損耗的變化。對(duì)于電容型絕緣設(shè)備,通過(guò)對(duì)其介質(zhì)特性的監(jiān)視,可以發(fā)現(xiàn)尚處于早期發(fā)展階段的缺陷。
2.電介質(zhì)損耗角正切的理論基礎(chǔ)
對(duì)電介質(zhì)施加正弦波電壓,外施電壓與相同頻率的電流之間相角的余角的正切值。其物理理論基礎(chǔ)為tanδ=每個(gè)周期內(nèi)介質(zhì)損耗的能量/每個(gè)周期內(nèi)介質(zhì)存儲(chǔ)的能量
1—1 介質(zhì)在交流電壓的等值電路和向量圖a 示意圖
b 等值電路 c 向量圖
在交流電壓下,流過(guò)電介質(zhì)的電流I包含有功分量IR和無(wú)功分量IC,即I=IR+I
由圖1—1可以看出,此時(shí)的介質(zhì)功率損耗P=UIcos=UICtanδ=U2ωCPtanδ (1--1) 式 ω----電源角頻率Φ----功δ
-----介質(zhì)損耗角。采用介質(zhì)損耗P作為比較各種絕緣材料損耗特性?xún)?yōu)劣的指標(biāo)是不合適的,因?yàn)镻
值得大小與所加電壓U、試品電容量CP、電源頻率ω等一系列因素有關(guān),而式中的
tanδ切是一個(gè)僅僅取決于材料損耗特性,而與上述種種因素?zé)o關(guān)的物理量。正因于此,通常均采用介質(zhì)損耗角正切tanδ作為綜合反映電介質(zhì)損耗特性?xún)?yōu)劣的指標(biāo),測(cè)量和監(jiān)控各種電力設(shè)備絕緣的tan
δ值已成為電力系統(tǒng)中絕緣預(yù)防性試驗(yàn)的zui重要項(xiàng)目之一。有損介質(zhì)更細(xì)致的等值電路如圖1—2所示
圖1—2 電介質(zhì)的三條支路等值電路和向量圖
a 等值電路 b向量圖圖中C1----介質(zhì)無(wú)R2,C2----各種有損極化;R3----電導(dǎo)損耗。
在這個(gè)等值電路上加上直流電壓時(shí),電介質(zhì)中流過(guò)的將是電容電流I1、吸收電流I2和傳導(dǎo)電流I3。在電容電流I1在加壓瞬間數(shù)值很大,但迅速下降到零,是一極短暫的充電電流;吸收電流I2則隨著加電壓時(shí)間增長(zhǎng)而逐漸減小,比充電電流的下降要慢得多,約經(jīng)數(shù)十分鐘才衰減到零,具體時(shí)間長(zhǎng)短取決于絕緣的類(lèi)型、不均勻程度和結(jié)構(gòu);傳導(dǎo)電流I3是**存在的電流分量。這三個(gè)電流分量加在一起即得出吸收曲線(xiàn),如圖1—3所示。上述三條支路等值電路可進(jìn)一步簡(jiǎn)化為電阻、
電容的并聯(lián)等值電路或串聯(lián)等值電路。若介質(zhì)損耗主要由電導(dǎo)所引起,常用并聯(lián)等值電路;
如果介質(zhì)損耗主由極化所引起,常用串聯(lián)等值電路。
三.等值電路1.并聯(lián)等值電路如果把圖1—2中的電流歸并成由有功電流和無(wú)功電流兩部分組成,即可得到圖1—1b示并列電路,圖中CP代表無(wú)功電流IC等值電容、R則代表有功電流I
R的等值電阻。其中IR=3+I2R=URIC=1+I2C=UωCP介質(zhì)損耗角正切tanδ等于有功電流和無(wú)功電流的比值,即tanδ=IRIC=URUωCP=1UωCP此時(shí)電路的功率損耗為:P=U2R=U2ωCPtanδ可見(jiàn)與式(1--1)所得介質(zhì)損耗*相同。2.串聯(lián)等值電路用一只理想的無(wú)損耗電容CS一個(gè)電阻r相串聯(lián)的等值電路來(lái)代替,如果1—3a所示。且由如1—3b的向量圖可得:tanδ=IrIω=ωCr由于r=tanδωCS,I=cSωCS=UcosδωCS,所以電路的功率損耗將為:P=2r=(UcosδωCS)2tanδωCS=U2ωCStanδ(cosδ)2
因?yàn)榻橘|(zhì)損耗角δ值很小,cosδ≈1,所以P=U2ωCStanδ由并聯(lián)等值電路和串聯(lián)等值電路可知,串聯(lián)等值電路中的電阻r要比并聯(lián)等值電路中的電阻R小得多圖1—3 電介質(zhì)的簡(jiǎn)化串聯(lián)等值電路及向量a 串聯(lián)等值電路 b 向量
四.介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量由于介質(zhì)的功率損耗P與介質(zhì)損耗角正切tanδ成正比,所以tanδ
是絕緣品質(zhì)的重要指標(biāo),測(cè)量tanδ值是判斷電氣設(shè)備的絕緣狀態(tài)的一項(xiàng)靈敏有效方法。
tanδ能反映絕緣的整體性缺陷(例如全面老化)和小電容試品中的嚴(yán)重局部缺陷。由于tanδ隨電壓而變化的曲線(xiàn),可判斷絕緣是否受潮、含有氣泡及老化程度。但是測(cè)量tanδ不能靈敏地反映大容量發(fā)電機(jī)、變壓器和電力電纜絕緣中的局部性缺陷,這是應(yīng)盡可能將這些設(shè)備分解成幾部分,然后分別測(cè)量它們的tanδ,tanδ值得測(cè)量,zui常用的是高壓交流電橋,即西林電橋法。
液體介電常數(shù)測(cè)量?jī)x鑒別危險(xiǎn)品
原理分析 物質(zhì)的檢測(cè)分為定量檢測(cè)、定性檢測(cè)和否定檢測(cè)。定量檢測(cè)既要判斷被檢測(cè)物質(zhì)包含哪些成分,還要能檢測(cè)每種成分的含量,如質(zhì)譜檢測(cè)和各種光譜檢測(cè)。定性檢測(cè)只要求判定是不是某種物質(zhì),如離子遷移譜等。而否定檢測(cè)只要給出被檢測(cè)物質(zhì)是否包含某一種或幾種特定成分。這三種檢測(cè)方法各有各的特點(diǎn),定量檢測(cè)準(zhǔn)確,但是一般檢測(cè)時(shí)間長(zhǎng);否定檢測(cè)為排除性檢測(cè),但是能夠批量快速鑒別,定性檢測(cè)介與兩者之間。 在安全檢測(cè)領(lǐng)域,采用否定檢測(cè)方式可以實(shí)現(xiàn)快速預(yù)鑒別。如在液體危險(xiǎn)品檢測(cè)中,通過(guò)否定檢測(cè)方式,可以快速鑒別液體中是否可能含有危險(xiǎn)品。本文基于否定檢測(cè)的實(shí)際需求,給出一種通過(guò)測(cè)量微波反射能力,實(shí)現(xiàn)快速檢測(cè)瓶裝(玻璃、塑料和瓷器)液體是否含有某幾種特定危險(xiǎn)品中的一種或幾種。 物質(zhì)的介電常數(shù)是一種物質(zhì)與微波相互作用研究中的重要參數(shù),在微波作用下,了解液體介電常數(shù),可以進(jìn)一步了解其對(duì)微波吸收和反射的情況。采用微波發(fā)射裝置發(fā)射微波照射被測(cè)液體,發(fā)射能量可以非常低,通過(guò)測(cè)量液體反射微波能量實(shí)現(xiàn)快速鑒別液體中是否含有某幾種特定危險(xiǎn)品。 這里采用的微波工作頻率在10GHz左右,屬于厘米波,其特點(diǎn)是遇到障礙物反射能力強(qiáng),與極性分子的熱化學(xué)效應(yīng)明顯(微波吸收),對(duì)塑料、玻璃和陶瓷等材
電壓擊穿測(cè)試儀與介質(zhì)損耗介電損耗
分析:
高分子材料多系絕緣性好的材料,廣泛的用于電子及電工行業(yè)。使用時(shí)不希望絕緣材料本身能量損耗大,因而測(cè)量出介質(zhì)損耗因數(shù)就能評(píng)價(jià)材料的介質(zhì)本身能量損耗。工業(yè)上多選用介質(zhì)損耗因數(shù)小的高分子材料作為絕緣材料。通常極性橡膠的tanδ比非極性橡膠的大。它還與試驗(yàn)采用的頻率、溫度緊密相關(guān)。在一定溫度下,只有在某一頻率范圍內(nèi),分子偶極取向雖可追隨電場(chǎng)變化,但不*同步,有部分電能被吸收而發(fā)熱,tanδ出現(xiàn)zui大值。同樣在一定頻率下,惟有某一溫度區(qū)域內(nèi)tanδ才會(huì)出現(xiàn)*值,當(dāng)頻率升高時(shí),介質(zhì)損耗峰移向高溫端。