| 1、 用途 用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形無(wú)嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目。 2、 設(shè)備組成 2.1、光脈沖發(fā)生裝置 重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜0.2-1μｓ 紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A 如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源 2.2、高頻源 頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W 2.3、放大器和檢波器 頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz 2.4、配用示波器 配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。 3、測(cè)量范圍 LT-1可測(cè)硅單晶的電阻率范圍：ρ≥3Ω·㎝（歐姆·厘米）,壽命值的測(cè)量范圍：5～6000μｓ |  |
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